[发明专利]电子装置的制造方法有效
申请号: | 201980026275.3 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN111989769B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 风间达也;川中子知久;西崎贵洋 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社;千住金属工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31;C08G59/62;C08K3/013;C08K5/54;C08L63/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;吕秀平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
本发明的电子装置的制造方法为具备在表面具有金属露出部的基材以及设置于基材上的电子部件的电子装置的制造方法,该制造方法包括:助焊剂处理工序,其使金属露出部与助焊剂接触而对金属露出部进行助焊剂处理;和导入工序,其以与经助焊剂处理的金属露出部的表面接触的方式导入树脂组合物,助焊剂包含松香、活性剂和溶剂,松香的含量相对于助焊剂100质量份,为1质量份以上且18质量份以下,助焊剂中的加热处理前后的助焊剂的质量变化率为21质量%以下,树脂组合物含有环氧树脂和酚醛树脂固化剂,在树脂组合物中,将由环氧树脂和酚醛树脂固化剂所构成的树脂组的基于汉森法的平均溶解度参数设为SP1,将其树脂组的数均分子量设为Mn1时,SP1与Mn1满足Mn1≤210×SP1‑4095。
技术领域
本发明涉及一种电子装置的制造方法。
背景技术
例如,在如专利文献1所记载的现有半导体装置的制造工序中,通常,在进行焊料回流焊时使用助焊剂来连接半导体元件与基板之后,利用溶剂进行清洗从而去除残留于基材上的助焊剂,然后使用半导体密封用树脂组合物来密封上述半导体元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-226926号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
在电子装置的制造方法中,利用溶剂来清洗基材上的助焊剂残渣的工序可能会降低电子装置的生产性。
然而,当不进行清洗助焊剂残渣的工序时,电子装置的树脂组合物的固化物与基材之间会残留有助焊剂残渣。当通过树脂组合物来密封具备铜电路的基材时,树脂组合物的固化物与基材的密接性会因残留助焊剂残渣而降低,其结果,会降低电子装置的电可靠性。
因此,无论是否进行用溶剂清洗助焊剂残渣的工序,在电子装置的生产性和制造稳定性方面均具有改善的空间。
用于解决技术问题的技术方案
因此,本发明的发明人针对以不进行利用溶剂来清洗基材上的助焊剂残渣的工序,由此提高电子装置的生产性作为前提,而减少树脂组合物的固化物与基材之间的助焊剂残渣的电子装置的制造方法进行了研究。详细而言,在利用溶剂来清洗助焊剂残渣的情况下也对除去助焊剂残渣的方法进行了研究。
进行了深入研究后,结果发现通过使用含有特定量的松香且加热处理前后的质量变化率小的助焊剂,在此基础上并用由环氧树脂和酚醛树脂固化剂所构成的树脂组的基于汉森(Hansen)法的平均溶解度参数SP1与数均分子量Mn1满足规定关系的树脂组合物,从而能够通过掺入树脂组合物中而去除助焊剂残渣。
虽然详细的机制尚不明确,但认为通过使用上述的助焊剂和树脂组合物而提高它们的相容性,因此助焊剂残渣被掺入树脂组合物中而能够将助焊剂残渣去除。
本发明的发明人基于这样的见解,发现能够通过并用上述助焊剂和树脂组合物而除去助焊剂残渣,因此能够抑制树脂组合物的固化物与基材的密接性降低,提高电子装置的制造稳定性,以至完成了本发明。
根据本发明,提供一种电子装置的制造方法,上述电子装置具备在表面具有金属露出部的基材以及设置于上述基材上的电子部件,
上述电子装置的制造方法包括:
助焊剂处理工序,其使上述金属露出部与助焊剂接触而对上述金属露出部进行助焊剂处理;和
导入工序:其以与经上述助焊剂处理的上述金属露出部的表面接触的方式导入树脂组合物,
上述助焊剂含有松香、活性剂和溶剂,
上述松香的含量相对于上述助焊剂100质量份,为1质量份以上且18质量份以下,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造