[发明专利]微器件转移方法和转移装置、以及使用该方法和装置的电子产品在审
申请号: | 201980026414.2 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN111989767A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 崔炳翊;皇甫润;金宰玄;尹盛煜;金昌铉;金正烨;金敬植;金相闵;蒋捧钧;金光燮 | 申请(专利权)人: | 韩国机械研究院 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/67;H01L27/15 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 孙静;杨明钊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 转移 方法 装置 以及 使用 电子产品 | ||
1.一种转移微器件的方法,所述方法包括:
以第一速率沿第一方向输送目标基板;
在所述第一方向上供应与微器件结合的转移膜,所述微器件面向所述目标基板的上部部分;
对所述转移膜加压,所述加压包括向上弯曲与所述微器件分离的所述转移膜以形成弯曲圆弧,并且用在所述目标基板的上侧旋转的加压辊对在形成所述弯曲圆弧之后被输送的上转移膜加压,以将压力传递到与所述微器件结合的下转移膜;和
通过沿着与所述第一方向相反的第二方向以第二速率输送在形成所述弯曲圆弧之后被输送的所述上转移膜来收集所述上转移膜,
其中,基于所述第一方向,所述弯曲圆弧的第一中心在所述加压辊的第二中心的前侧。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述加压辊的线速度、所述第二速率和所述第一速率相同。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
第一控制,所述第一控制用于通过在预定时间内调节所述加压辊的线速度来调节所述弯曲圆弧的曲率半径。
4.根据权利要求3所述的方法,其中:
所述第一控制包括第一曲率半径调节,在所述第一曲率半径调节中通过增加所述加压辊的线速度,基于所述第一方向,将所述弯曲圆弧的所述第一中心的位置移动到后侧,来控制所述弯曲圆弧的曲率半径减小,或者通过降低所述加压辊的线速度,基于所述第一方向,将所述弯曲圆弧的所述第一中心的位置移动到前侧,来控制所述弯曲圆弧的曲率半径增加。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
所述第一控制还包括在所述第一曲率半径调节之后的第一速率调节,在所述第一速率调节中所述第一速率和所述第二速率被控制为与在所述第一曲率半径调节中被调节的所述加压辊的线速度相同。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
第二控制,所述第二控制用于通过在预定时间内调节所述目标基板的第一速率来调节所述弯曲圆弧的曲率半径。
7.根据权利要求6所述的方法,其中:
所述第二控制包括第二曲率半径调节,在所述第二曲率半径调节中通过增加所述目标基板的第一速率,基于所述第一方向,将所述弯曲圆弧的第一中心的位置移动到前侧,来控制所述弯曲圆弧的曲率半径增加,或者通过降低所述目标基板的第一速率,基于所述第一方向,将所述弯曲圆弧的第一中心的位置移动到后侧,来控制所述弯曲圆弧的曲率半径减小。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述第二控制还包括在所述第二曲率半径调节之后的第二速率调节,在所述第二速率调节中所述加压辊的所述线速度和所述第二速率被控制为等于在所述第二曲率半径调节中被调节的所述目标基板的第一速率。
9.根据权利要求1所述的方法,其中:
对所述上转移膜加压包括通过设置在由所述转移膜形成的所述弯曲圆弧内的加压杆向所述下转移膜传递额外的压力。
10.根据权利要求1所述的方法,其中:
在对所述上转移膜加压时,当所述加压辊对所述上转移膜加压时,所述上转移膜与所述下转移膜接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造