[发明专利]微器件转移方法和转移装置、以及使用该方法和装置的电子产品在审
申请号: | 201980026414.2 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN111989767A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 崔炳翊;皇甫润;金宰玄;尹盛煜;金昌铉;金正烨;金敬植;金相闵;蒋捧钧;金光燮 | 申请(专利权)人: | 韩国机械研究院 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/67;H01L27/15 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 孙静;杨明钊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 转移 方法 装置 以及 使用 电子产品 | ||
本发明的实施例提供了一种微器件转移方法,该方法适用于更多不同的微器件并且能够提高转移效率。微器件转移方法包括以下步骤:以第一速率在第一方向上传送目标基板;定位附接到转移膜的微器件以便面向目标基板的顶部部分,并在第一方向上输送转移膜;在转移膜与被转移到目标基板上的微器件分离之后,使转移膜能够向上弯曲并形成弯曲弧,并使在弯曲弧形成之后被传送的上侧转移膜能够通过在目标基板之上旋转的按压辊而被按压,并使得压力能够被传输到具有附接的微器件且正被输送的下侧转移膜;以及以第二速率在与第一方向相反的第二方向上传送在形成弯曲弧之后被传送的上侧转移膜,并恢复其,其中弯曲弧的第一中心相对于第一方向还在按压辊的第二中心的前面。
技术领域
本发明涉及一种用于转移微器件的方法和装置,以及使用该方法和装置的电子产品,且更具体地,涉及一种用于转移微器件的方法和装置,该方法和装置适用于更多不同的微器件并且能够提高转移效率,以及涉及一种包括通过使用该转移方法转移的微器件的电子产品。
背景技术
作为替代现有显示器的下一代先进显示器,使用微型LED器件的显示器正在引起关注。为了制造显示器,将微型LED器件转移到电路板的技术是核心。
大而厚的元件可以通过其他方法(诸如真空吸盘(vacuum chuck))转移,但是转移具有微米/纳米尺寸的小而薄的元件的方法是受限制的。具有几十微米或更小的微器件可能由于在真空吸盘中生成的压力而被损坏,从而难以使用真空吸盘。作为另一种方法,存在通过使用静电吸盘技术转移器件的方法,但是当该方法应用于薄器件时,该器件可能被静电损坏,并且可能受到器件表面污染物的影响而降低转移性能。
由于上述原因,对于具有非常小厚度的薄膜形式的器件,通过使用粘合力转移器件的技术被广泛使用。
通常,通过使用粘合力转移微器件的方法将布置在源基板上的微器件阵列结合到转移膜,并将微器件转移到被施加到目标基板的电极上的焊料。
根据将微器件加压到目标基板的方案,转移方法通常可分为使用辊的方法和使用加压板的方法。使用辊的转移方法在提高大规模生产过程的生产率方面具有优势。
图1是示出了通过使用相关技术中的辊来转移微器件的方法的示例的图。
如图1所示,转移膜10由加压辊20直接加压,且因此,压力被施加到结合到转移膜10的微器件30,使得微器件30被转移到目标基板40。
在该方法中,难以精确控制由加压辊20施加到目标基板40的压力。也就是说,当加压辊20的压力太小时,可能无法执行转移,并且当加压辊20的压力太大时,在加压辊20和目标基板40之间的接触面积增加,从而降低转移效率并损坏微器件30。
当微器件的尺寸小时,更难精确控制加压辊20的压力。为了将在加压辊20和目标基板40之间的接触面积控制为适合于该器件的尺寸,加压辊20的直径需要小,但是在减小加压辊20的直径方面存在限制。当微器件的尺寸小并且被结合到源基板的微器件之间的间隔同时减小时,精确控制加压辊20的压力变得更加困难。
该现象是在通过使用加压板对微器件加压的方法中产生的问题。
此外,为了有效地转移进一步小型化的微器件,需要新技术。
公开内容
技术问题
本发明致力于提供一种转移微器件的方法,该方法适用于更多不同的微器件,并且能够提高转移效率。
本发明还致力于提供一种用于转移微器件的装置,该装置适用于更多不同的微器件,并且能够提高转移效率。
本发明还致力于提供一种包括通过使用转移方法转移的微器件的电子产品。
本发明旨在实现的技术目标不限于前述技术目标,并且本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解其他未提及的技术目标。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造