[发明专利]粘着性膜及电子装置的制造方法有效
申请号: | 201980026791.6 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN112004899B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 安井浩登;栗原宏嘉 | 申请(专利权)人: | 三井化学东赛璐株式会社 |
主分类号: | C09J7/29 | 分类号: | C09J7/29;B32B27/00;B32B27/32;C09J201/00;H01L21/304 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 陈彦;郭玫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘着 电子 装置 制造 方法 | ||
本发明的粘着性膜(100)为用于加工电子部件的粘着性膜,其依次具备基材层(10)、凹凸吸收性树脂层(20)以及粘着性树脂层(30),凹凸吸收性树脂层(20)包含热塑性树脂,通过差示扫描量热计(DSC)测定得到的、凹凸吸收性树脂层(20)的熔点(Tm)处于10℃以上50℃以下的范围内,上述电子部件具有电路形成面,所述粘着性膜(100)用于对上述电子部件的与该电路形成面相反侧的面进行磨削以使上述电子部件的厚度成为250μm以下。
技术领域
本发明涉及粘着性膜以及电子装置的制造方法。
背景技术
在电子装置的制造工序中,在将电子部件进行磨削的工序中,为了将电子部件进行固定,或防止电子部件的损伤,在电子部件的电路形成面粘贴粘着性膜。
对于这样的粘着性膜而言,一般使用在基材膜上层叠有粘着性树脂层的膜。
另一方面,关于电路形成面的凹凸大的电子部件,研究了为了对于粘着性膜赋予凹凸吸收性而在基材膜与粘着性树脂层之间设置了凹凸吸收性树脂层的粘着性膜。
作为具有这样的凹凸吸收性的粘着性膜相关的技术,可举出例如,专利文献1(日本特开2014-11273号公报)和专利文献2(日本特开2010-258426号公报)所记载的技术。
专利文献1中记载了一种半导体晶片加工用胶粘带,其特征在于,在高弹性基材膜的一侧的面具有至少1层以上的低弹性模量层,在该低弹性模量层上具有放射线固化型粘着剂层,该高弹性基材膜的杨氏模量为5.0×108Pa~1.1×1010Pa,该低弹性模量层的25℃时的储能弹性模量G’(25℃)为2.5×105Pa~4.0×105Pa,且60℃时的储能弹性模量G’(60℃)为0.2×105Pa~1.5×105Pa,其比G’(60℃)/G’(25℃)为0.5以下,该低弹性模量层的25℃时的损耗角正切tanδ(25℃)为0.08~0.15,与60℃时的损耗角正切tanδ(60℃)之比tanδ(60℃)/tanδ(25℃)为4.0以上,并且该放射线固化型粘着剂层的厚度为5~100μm,该放射线固化型粘着剂层与该低弹性模量层的厚度之比,放射线固化型粘着剂层厚度/低弹性模量层厚度为1/2以下。
专利文献2中记载了一种半导体晶片保护用粘着片的贴合方法,其特征在于,是将依次层叠有基材、至少一层以上的中间层以及粘着剂层的半导体晶片保护用粘着片贴合于半导体晶片的表面的方法,该粘着片与半导体晶片的贴合温度为50℃~100℃,与粘着剂层相接一侧的中间层的贴合温度下的损耗角正切(tanδ)为0.5以上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-11273号公报
专利文献2:日本特开2010-258426号公报
发明内容
发明所要解决的课题
近年来,随着移动电话等数字移动设备所使用的SiP(System in Package,系统级封装)等的普及,例如对于实现厚度100μm以下的半导体晶片等电子部件的薄化精加工磨削技术的要求提高。
根据本发明人等的研究,得知进行了薄磨削的电子部件有时发生翘曲。如果电子部件具有翘曲,则存在在运输工序中产生不良状况,或电子部件产生开裂的担心。
本发明是鉴于上述情况而提出的,其提供能够抑制磨削后的电子部件的翘曲的电子部件加工用粘着性膜。
用于解决课题的方法
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