[发明专利]卷膜、卷膜的制造方法、覆铜层叠体的制造方法、以及印刷基板的制造方法

权利要求书

1.一种卷膜的制造方法，通过对以热熔融性氟树脂作为主成分的厚度为1～100μm的膜在从比所述热熔融性氟树脂的熔融温度(Tm)低210℃的温度到比Tm低20℃的温度下进行退火处理后，进行卷绕，在所述退火处理后的膜的卷绕中，对所述膜施加1N/m～500N/m的张力，从而得到卷膜，所述卷膜以25℃下的尺寸为基准，在150℃下加热30分钟、然后冷却至25℃时的MD和TD的各尺寸变化率的绝对值小于1.0％，以热熔融性氟树脂作为主成分，且厚度为1～100μm。

2.如权利要求1所述的卷膜的制造方法，其特征在于，卷绕时的张力与所述MD的尺寸变化率的绝对值的比为100～1000000。

3.如权利要求1所述的卷膜的制造方法，其特征在于，所述热熔融性氟树脂是包含来源于四氟乙烯的单元和来源于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的氟树脂。

4.如权利要求1所述的卷膜的制造方法，其特征在于，所述热熔融性氟树脂是具有发挥离子捕捉能力的官能团的氟树脂。

5.如权利要求1所述的卷膜的制造方法，其特征在于，所述卷膜以具有发挥离子捕捉能力的官能团的热熔融性氟树脂和该热熔融性氟树脂以外的热熔融性氟树脂作为主成分。

6.如权利要求1所述的卷膜的制造方法，其特征在于，所述卷膜包含热熔融性氟树脂的层和具有发挥离子捕捉能力的官能团的热熔融性氟树脂的层。

7.如权利要求4所述的卷膜的制造方法，其特征在于，发挥离子捕捉能力的官能团是选自羰基、羧基、羧酸酐基(-C(＝O)-O-C(＝O)-)、羧酸酯基、磺酰基、磺基及磺酸酐基(-S(＝O)₂-O-S(＝O)₂-)的至少1种。

8.如权利要求1所述的卷膜的制造方法，其特征在于，所述卷膜的厚度为3～75μm。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使施加于所述膜的张力为10N/m以下而进行所述退火处理。

10.一种覆铜层叠体的制造方法，其特征在于，将由权利要求1～8中任一项所述的卷膜的制造方法得到的卷膜放卷，在被放卷的膜的表面上形成铜层。

11.如权利要求10所述的覆铜层叠体的制造方法，其特征在于，形成交流电阻值大于1.0×10^-9Ω·cm的铜层。

12.一种印刷基板的制造方法，其特征在于，通过权利要求10或11所述的制造方法制造覆铜层叠体，对所述铜层进行蚀刻，形成图案电路。