[发明专利]抗蚀剂和蚀刻建模

权利要求书

1.一种生成传递函数的方法，所述传递函数将光刻光掩模上的区段与通过使用所述区段的光刻及蚀刻所产生的特征相关联，该方法包含：

(a)接收成组的设计布局区段；

(b)从计算抗蚀剂模型决定抗蚀剂特征轮廓，其中将该成组的设计布局区段作为输入提供至该计算抗蚀剂模型；

(c)从计算蚀刻模型决定蚀刻特征轮廓，其中将该光致抗蚀剂特征轮廓作为输入提供至该计算蚀刻模型；以及

(d)使用该成组的设计布局区段以及相对应的蚀刻特征轮廓生成所述传递函数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述设计布局区段是以GDS格式提供的片段或量规。

3.根据权利要求1所述的方法，其还包括通过使用已进行光刻的晶片的检测结果，优化所述计算抗蚀剂模型，其中，所述光刻是使用来自设计片段数据库的一或多个片段在所述晶片上执行。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述计算抗蚀剂模型的所述优化在(b)之前进行。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其还包含通过使用已进行光刻及蚀刻的晶片的检测结果，优化所述计算蚀刻模型，其中，所述光刻及蚀刻使用来自设计片段数据库的一或多个片段在所述晶片上执行。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述优化所述计算蚀刻模型在(c)之前进行。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其还包含应用所述传递函数的反函数以决定用于光刻掩模的设计布局。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其还包含：

(e)多次运行所述计算蚀刻模型，每次使用不同组的工艺条件；以及

(f)从在(e)期间产生的所述计算蚀刻模型的输出，识别用于在蚀刻室的操作期间使用的选定组的工艺条件。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述光致抗蚀剂特征轮廓和/或所述蚀刻特征轮廓是以三维形式提供。

10.一种计算机程序产品，其包含非暂时计算机可读介质，在其上提供计算机可执行的指令，以用于使计算系统生成传递函数，所述传递函数将光刻光掩模上的区段与通过使用所述区段的光刻及蚀刻操作所产生的特征相关联，其中所述指令包含用于如下操作的指令：

(a)接收成组的设计布局区段；

(b)从计算抗蚀剂模型决定抗蚀剂特征轮廓，其中将该成组的设计布局区段作为输入提供至该计算抗蚀剂模型；

(c)从计算蚀刻模型决定蚀刻特征轮廓，其中将所述光致抗蚀剂特征轮廓作为输入提供至所述计算蚀刻模型；以及

(d)使用所述成组的设计布局区段以及相对应的蚀刻特征轮廓生成所述传递函数。

11.根据权利要求10所述的计算机程序产品，其中，所述设计布局区段是以GDS格式提供的片段或量规。

12.根据权利要求10所述的计算机程序产品，其还包括用于以下操作的指令：通过使用已进行光刻的晶片的检测结果，优化所述计算抗蚀剂模型，其中，所述光刻是使用来自设计片段数据库的一或多个片段在所述晶片上执行。

13.根据权利要求12所述的计算机程序产品，其中用于优化所述计算抗蚀剂模型的指令被设置成在用于(b)的指令之前执行。

14.根据权利要求10-13中任一项所述的计算机程序产品，其还包含通过使用已进行光刻及蚀刻的晶片的检测结果，优化所述计算蚀刻模型，其中，所述光刻及蚀刻使用来自设计片段数据库的一或多个片段在所述晶片上执行。

15.根据权利要求14所述的计算机程序产品，其中用于优化所述计算蚀刻模型的指令被设置成在(c)中的所述指令之前执行。