[发明专利]抗蚀剂和蚀刻建模

说明书

计算机实施方法以及计算机程序产品具有用于生成传递函数的指令，所述传递函数将光刻光掩模上的区段与通过使用这样的区段的光刻及蚀刻操作所产生的特征相关联一。这种方法可以通过以下要素表征：(a)接收产生自一或多个第一测试衬底的显影后检验的检测结果，其中在所述一或多个第一测试衬底上已涂布抗蚀剂并使用成组的设计布局区段进行图案化；(b)接收产生自一或多个第二测试衬底的蚀刻后检验的检测结果，所述一或多个第二测试衬底是在将抗蚀剂涂布并使用所述成组的设计布局区段图案化之后受蚀刻；以及(c)将所述成组的设计布局区段与相对应的显影后检验的检测结果以及相对应的蚀刻后检验的检测结果一同使用于生成所述传递函数。

通过引用并入

PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

背景技术

诸如等离子体辅助蚀刻工艺的半导体装置制造操作的性能对于半导体装置处理流程的成功通常是重要的。然而，蚀刻工艺和/或与其相关的工具(例如蚀刻反应器、光刻掩模等等)的优化或调整可证实是技术困难且耗时的，通常涉及技术人员来手动调节蚀刻工艺参数或工具组件设计以生成所期望的目标特征轮廓。尽管在开发自动化程序以决定掩模设计以及负责所期望的蚀刻轮廓的工艺参数方面已有些进展，但仍留有许多进步空间。

此处所包含的背景和情境描述仅提供用于一般性呈现本公开的背景的目的。本公开的大部分呈现发明人的工作成果，且仅因为这样的成果在背景部分中描述或于此处其他地方作为背景呈现并不表示承认其为现有技术。

发明内容

本公开的某些方面涉及生成传递函数的方法，所述传递函数将光刻光掩模上的区段与通过使用这样的区段的光刻及蚀刻操作所产生的特征相关联。在一些实施方案中，该方法可以通过以下操作表征：(a)接收成组的设计布局区段；(b)从计算抗蚀剂模型决定抗蚀剂特征轮廓，其中将该成组的设计布局区段作为输入提供至该计算抗蚀剂模型；(c)从计算蚀刻模型决定蚀刻特征轮廓，其中将该光致抗蚀剂特征轮廓作为输入提供至该计算蚀刻模型；以及(d)使用该成组的设计布局区段以及相对应的蚀刻特征轮廓生成所述传递函数。某些所述方法还包含应用该传递函数的反函数以决定用于光刻掩模的设计布局。

在某些实施方案中，所述设计布局区段是以GDS格式提供的片段或量规。在某些实施方案中，该抗蚀剂特征轮廓和/或该蚀刻特征轮廓以三维形式提供。

在某些实施方案中，所述方法还包括通过使用已进行光刻的晶片的检测结果，优化所述计算抗蚀剂模型，其中，所述光刻是使用来自设计片段数据库的一或多个片段在所述晶片上执行。在某些这样的实施方案中，优化所述计算抗蚀剂模型在(b)之前进行。在某些实施方案中，所述方法还包含通过使用已进行光刻及蚀刻的晶片的检测结果，优化所述计算蚀刻模块，其中，所述光刻及蚀刻使用来自设计片段数据库的一或多个片段在所述晶片上执行。在某些这样的实施方案中，优化所述计算蚀刻模型在(c)之前进行。

在某些情况下，所述方法还包含以下操作：(e)多次运行所述计算蚀刻模型，每次使用不同组的工艺条件；以及(f)从在(e)期间产生的所述计算蚀刻模型的输出，识别用于在蚀刻室的操作期间使用的选定组的工艺条件。

本公开的某些方面涉及计算机程序产品，其包含非暂时计算机可读介质，在其上提供计算机可执行的指令，以用于使计算系统生成传递函数，所述传递函数将光刻光掩模上的区段与通过使用所述区段的光刻及蚀刻操作所产生的特征相关联。所述计算机可执行指令可以包含用于如下操作的指令：(a)接收成组的设计布局区段；(b)从计算抗蚀剂模型决定抗蚀剂特征轮廓，其中将该成组的设计布局区段作为输入提供至该计算抗蚀剂模型；(c)从计算蚀刻模型决定蚀刻特征轮廓，其中将所述抗蚀剂特征轮廓作为输入提供至所述计算蚀刻模型；以及(d)使用所述成组的设计布局区段以及相对应的蚀刻特征轮廓生成所述传递函数。在某些实施方案中，该计算机可执行的指令还包含用于应用该传递函数的反函数以决定用于光刻掩模的设计布局的指令。