[发明专利]用于在半导体器件转移期间控制转移参数的方法和装置有效
申请号: | 201980027568.3 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN112005361B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | J·温特;C·彼得森;A·哈斯卡 | 申请(专利权)人: | 罗茵尼公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 常晓慧 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 转移 期间 控制 参数 方法 装置 | ||
1.一种用于执行将一个或多个半导体器件管芯从晶圆胶带直接转移到衬底的装置,所述装置包括:
第一框架,所述第一框架被构造成保持所述晶圆胶带;
第二框架,所述第二框架被构造成固定所述衬底,使得转移表面被设置成面向设置在所述晶圆胶带的第一侧面上的所述一个或多个半导体器件管芯;
一根或多根转移线材,所述一根或多根转移线材被设置成与所述晶圆胶带的与所述第一侧面相背对的第二侧面相邻,所述一根或多根转移线材的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸;
一个或多个稳定器,所述一个或多个稳定器被设置成与所述晶圆胶带的所述第二侧面相邻,所述一个或多个稳定器的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸;以及
顶针致动器,所述顶针致动器被构造成将所述一根或多根转移线材和所述一个或多个稳定器致动到管芯转移位置,在所述管芯转移位置处至少一根转移线材和至少一个稳定器压在所述晶圆胶带的所述第二侧面上,以压住所述一个或多个半导体器件管芯中的半导体器件管芯使其与所述衬底的所述转移表面接触。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置包括两个稳定器。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述顶针致动器被构造成独立且同时地致动所述两个稳定器。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述顶针致动器被构造成独立且同时地致动所述多个稳定器。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述顶针致动器被构造成在第一方向上致动所述一根或多根转移线材和所述一个或多个稳定器,所述第一方向朝向所述晶圆胶带。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述顶针致动器被构造成在所述第一方向上同时致动并且在第二方向上循序致动一个或多个转移顶针和所述一个或多个稳定器,所述第二方向与所述第一方向相反。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述顶针致动器包括机电致动器。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置还包括真空单元,所述真空单元被设置成与所述晶圆胶带的所述第二侧面相邻,所述真空单元被构造成在所述一个或多个半导体器件管芯的所述直接转移的至少一部分期间接合,其中所述真空单元被构造成保持接合直到从所述晶圆胶带释放所述半导体器件管芯。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述真空单元被构造成使所述晶圆胶带在所述直接转移期间的振荡最小化。
10.一种用于执行将一个或多个半导体器件管芯从晶圆胶带直接转移到衬底的装置,所述装置包括:
第一框架,所述第一框架被构造成保持所述晶圆胶带;
第二框架,所述第二框架被构造成固定所述衬底,使得转移表面被设置成面向设置在所述晶圆胶带的第一侧面上的所述一个或多个半导体器件管芯;
至少一根转移线材,所述至少一根转移线材被设置成与所述晶圆胶带的与所述第一侧面相背对的第二侧面相邻,所述至少一根转移线材的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸;
真空单元,所述真空单元被设置成与所述晶圆胶带的所述第二侧面相邻,所述真空单元被构造成在所述一个或多个半导体器件管芯的所述直接转移的至少一部分期间接合;
顶针致动器,所述顶针致动器被构造成将所述至少一根转移线材致动到管芯转移位置,在所述管芯转移位置处所述至少一根转移线材压在所述晶圆胶带的所述第二侧面上,以压住所述一个或多个半导体器件管芯使其与所述衬底的所述转移表面接触。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述装置还包括两个或多个稳定器,所述两个或多个稳定器被设置成与所述晶圆胶带的所述第二侧面相邻,所述两个或多个稳定器的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述顶针致动器被进一步构造成将所述两个或多个稳定器与所述至少一根转移线材一起致动到管芯转移位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造