[发明专利]用于在半导体器件转移期间控制转移参数的方法和装置

说明书

本发明公开了一种装置，所述装置包括转移机构，所述转移机构用于将可电致动元件从晶圆胶带直接转移到产品衬底上的电路迹线上的转移位置。所述转移机构包括一根或多根转移线材。两个或多个稳定器设置在所述一根或多根转移线材的任一侧面上。顶针致动器连接到所述一根或多根转移线材和所述两个或多个稳定器以将所述一根或多根转移线材和所述两个或多个稳定器移动到管芯转移位置。

相关专利申请的交叉引用

本PCT国际专利申请要求享有于2018年9月28日提交的标题为“Method andApparatus to Control Transfer Parameters During Transfer of SemiconductorDevices”的美国专利申请16/146,833的优先权。本申请以引用方式将以下专利申请并入：于2014年11月12日提交的标题为“Apparatus for Transfer of Semiconductor Devices”的美国专利申请14/939,896，该专利现在被公开为美国专利9.633,883；于2016年11月3日提交的标题为“Compliant Needle for Direct Transfer of Semiconductor Devices”的美国专利申请15/343,055，该专利现在被公开为美国专利10,141,215；于2016年11月23日提交的标题为“Top-Side Laser for Direct Transfer of Semiconductor Devices”的美国专利申请15/360,471；于2016年11月23日提交的标题为“Pattern Array DirectTransfer Apparatus and Method Therefor”的美国专利申请15/360,645；以及于2017年1月18日提交的标题为“Flexible Support Substrate for Transfer of SemiconductorDevices”的美国专利申请15/409,409，该专利现在被公开为美国专利10,062,588。

背景技术

半导体器件是利用半导体材料诸如硅、锗、砷化镓等的电子部件。半导体器件通常被制造为单个分立器件或集成电路(IC)。单个分立器件的示例包括可电致动元件，诸如发光二极管(LED)、二极管、晶体管、电阻器、电容器、保险丝等。

半导体器件的制造通常涉及具有大量步骤的复杂制造过程。制造的最终产品是“封装”半导体器件。“封装”修饰语是指外壳和最终产品中内置的受保护特征部以及使得封装中的器件能够结合到最终电路中的接口。

半导体器件的常规制造工艺始于处理半导体晶圆。晶圆被切成许多“未封装”半导体器件。“未封装”修饰语是指没有受保护特征部的未封闭半导体器件。在此，未封装半导体器件可以称为半导体器件管芯，或者为了简单起见仅称为“管芯”。可以将单个半导体晶圆切成小块以产生各种尺寸的管芯，以便从半导体晶圆中形成超过10万个甚至100万个管芯(取决于半导体的初始尺寸)，并且每个管芯都具有一定的质量。然后，经由下文简要讨论的常规制造工艺来“封装”未封装管芯。晶圆处理与封装之间的动作可以称为“管芯制备”。

在一些情况下，管芯制备可以包括经由“拾取和放置过程”对管芯进行分类，由此将切块的管芯单独拾取并分类到箱中。可以基于管芯的正向电压容量、管芯的平均功率和/或管芯的波长进行分类。

通常，封装涉及将管芯安装到塑料或陶瓷封装(例如，模具或外壳)中。封装还包括将管芯触点连接到管脚/线材，以与最终电路对接/互连。通常通过密封管芯来完成半导体器件的封装以保护管芯免受环境(例如，灰尘)的影响。

然后，产品制造商将封装半导体器件放置在产品电路中。由于封装，器件可以随时“插入”正在制造的产品的电路组件中。此外，虽然器件的封装可以保护器件免受可能劣化或破坏器件的元素的影响，但封装器件固然比封装内存在的管芯更大(例如，在某些情况下，封装器件厚度大约是管芯的10倍，面积是其10倍，因此体积是其100倍)。因此，所得电路组件不能比半导体器件的封装更薄。