[发明专利]树脂组合物、层叠体、带树脂组合物层的半导体晶圆、基板和半导体装置有效

专利信息
申请号: 201980027899.7 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN112004845B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 冈庭正志;泷口武纪;东口鉱平;木田刚 申请(专利权)人: 三菱瓦斯化学株式会社
主分类号: C08F222/40 分类号: C08F222/40;B32B27/30;C08K3/013;C08K5/07;C08K5/3432;C08K5/3492;C08L39/04;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 树脂 组合 层叠 半导体 装置
【说明书】:

提供:具有优异的助焊剂活性、挠性和保存稳定性的适合于预施底部填充材料用的树脂组合物。本发明的树脂组合物含有:具有酚性羟基的化合物(A)、金属离子捕捉剂(B)和自由基聚合性化合物(C)。

技术领域

本发明涉及树脂组合物、使用树脂组合物的层叠体、带树脂组合物层的半导体晶圆、带树脂组合物层的半导体搭载用基板和半导体装置。详细而言,本发明涉及作为底部填充材料有用的树脂组合物。

背景技术

近年来,随着半导体装置的小型化和高性能化,作为将半导体芯片(以下,有时简称为“芯片”)搭载于半导体搭载用基板(以下,有时简称为“基板”)的方法,倒装芯片安装备受关注。倒装芯片安装中,一般有如下工艺:将芯片与基板接合后,在芯片与基板的间隙填充底部填充材料,并使其固化。然而,随着半导体装置的小型化和高性能化,在芯片上排列的电极的窄间距化和电极间的窄间隙化推进,底部填充材料填充的长时间化所导致的作业性的恶化和未填充等填充不良的发生成为问题。针对于此,研究了如下工艺:向芯片或基板供给预施底部填充材料后,同时进行芯片与基板的接合、以及底部填充材料的填充。

将芯片与基板借助容易被氧化的金属、例如焊料、铜进行接合的情况下,为了将成为阻碍接合因素的金属氧化膜从接合部去除从而得到良好的金属接合,有时在预施底部填充材料中添加源自羧酸等的助焊剂成分。

专利文献1中记载了一种使用环氧化合物的预施底部填充材料。另外,专利文献2中也记载了一种使用环氧化合物的预施底部填充材料。

专利文献3中记载了一种使用环氧化合物和助焊剂成分的预施底部填充材料。另外,专利文献4中记载了一种使用丙烯酸类单体的底部填充材料。而且,专利文献5中记载了一种使用自由基聚合性单体的预施底部填充材料。

专利文献6中有关于薄膜状粘接剂的记载,所述薄膜状粘接剂具备含有具有能跟铜离子络合的骨架的树脂的铜离子吸附层,具有能跟铜离子络合的骨架的树脂为具有三嗪骨架的酚醛树脂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2008-133423号公报

专利文献2:日本特开2016-027174号公报

专利文献3:日本特开2013-112730号公报

专利文献4:日本特开2015-172145号公报

专利文献5:日本特表2015-503220号公报

专利文献6:日本特开2011-52109号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1和2中记载的使用环氧化合物的预施底部填充材料的情况下,有环氧化合物与各种材料的粘接性高、电绝缘性优异的优点。然而,这样的预施底部填充材料有意不包含助焊剂成分。由此,对于专利文献1和2中记载的预施底部填充材料,难以去除接合部的氧化膜。

另外,专利文献3中,使用特定的含羧基的化合物作为助焊剂成分。然而,含羧基的化合物与环氧化合物在室温下也会轻微进行反应,保管中助焊剂活性经时地降低,因此,存在接合稳定性低、缺乏量产性的缺点。

专利文献4中,也有意不包含助焊剂成分,因此,无法在金属接合前去除接合部的氧化膜。

专利文献5中,使用热自由基引发剂作为自由基聚合性单体的聚合引发剂。然而,专利文献5中,使用含有羧基的聚合物,但分子量大,因此,羧基的运动性低,无法期待充分的助焊剂活性。

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