[发明专利]硅上氮化镓器件中的寄生电容降低

权利要求书

1.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：

在硅衬底上限定一个或更多个器件区域和一个或更多个互连区域；

在所述硅衬底的所述互连区域中形成沟槽；

对所述沟槽中的所述硅衬底进行氧化以形成二氧化硅区；

在所述硅衬底的表面上形成第III族氮化物材料层；

在氮化镓层的器件区域中形成器件；以及

在所述互连区域中形成互连。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，限定一个或更多个互连区域包括：在所述硅衬底上形成掩模层，以及通过去除所述一个或更多个互连区域中的所述掩模层来对所述掩模层进行图案化。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在使所述沟槽中的所述硅衬底氧化之后，将图案化的掩模层从所述硅衬底剥离。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掩模层包括氮化硅。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，通过低压化学气相沉积形成所述掩模层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过蚀刻形成所述沟槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过LOCOS(硅局部氧化)工艺来执行所述硅衬底的氧化。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述二氧化硅区的顶表面与所述硅衬底的顶表面共面。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第III族氮化物材料层之前，对所述衬底和所述二氧化硅区的表面进行平坦化。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第III族氮化物材料层包括氮化镓层的外延生长。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成器件包括形成氮化镓器件。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成互连包括形成互连线和/或接合焊盘。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述互连之前，去除所述互连区域中的所述第III族氮化物材料层。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述硅衬底的背表面上形成金属层。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括在形成所述金属层之前对所述硅衬底进行减薄。

16.一种半导体结构，包括：

硅衬底，所述硅衬底具有一个或更多个器件区域以及一个或更多个互连区域；

至少在所述器件区域中的所述硅衬底的前侧上的第III族氮化物材料层；

在所述器件区域中的一个或更多个器件；

在所述互连区域中的一个或更多个互连；以及

在所述互连与所述衬底的背侧上的金属层之间的所述衬底的所述互连区域中的二氧化硅区。

17.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述二氧化硅区的顶表面与所述硅衬底的顶表面共面。

18.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述第III族氮化物材料层在所述器件区域中包括单晶氮化镓。

19.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述器件包括氮化镓器件。

20.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述互连包括互连线和/或接合焊盘。