[发明专利]热处理系统中用于局部加热的支撑板在审
申请号: | 201980028096.3 | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN112236850A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 罗尔夫·布雷芒斯多费尔;J·凯普勒;杨晓晅;T·胡斯曼 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 王艳波;林军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 系统 用于 局部 加热 支撑 | ||
1.一种热处理设备,包括:
多个热源,被配置为加热工件;
可旋转的支撑板,在热处理期间用于支撑所述工件,所述可旋转的支撑板包括:
透射支撑结构,被配置为接触所述工件,所述透射支撑结构包括第一末端和第二末端,其中,所述支撑结构的所述第一末端被布置为支撑所述工件;和
光源,用于发出相干光通过所述透射支撑结构,使得所述相干光加热所述工件与所述透射支撑结构接触的部分。
2.根据权利要求1所述的热处理设备,其中,所述透射支撑结构被配置为向所述工件透射来自所述多个热源的热量。
3.根据权利要求1所述的热处理设备,其中,所述透射支撑结构包括石英材料。
4.根据权利要求1所述的热处理设备,其中,所述光源被配置为在热处理所述工件期间在所述可旋转的支撑板旋转过程中相对于所述可旋转的支撑板保持固定。
5.根据权利要求1所述的热处理设备,其中,所述光源包括激光器。
6.根据权利要求1所述的热处理设备,其中,所述透射支撑结构包括多个支撑销。
7.根据权利要求1所述的热处理设备,其中,所述透射支撑结构包括基座,所述基座具有设置在所述多个支撑销中的至少两个之间的半环形不透明部分,所述半环形不透明部分被配置为阻止所述光源的所述相干光加热所述工件。
8.根据权利要求7所述的热处理设备,其中,所述半环形不透明部分的宽度不小于所述相干光与所述基座接触的接触区域的直径。
9.根据权利要求7所述的热处理设备,其中,所述半环形不透明部分包括在所述基座的第二表面上的波长选择性涂层。
10.根据权利要求1所述的热处理设备,进一步包括控制器,所述控制器被配置为使所述光源发出所述相干光与所述基座的运动同步,使得在所述支撑板旋转期间,当所述多个支撑销中的一个经过所述光源时,所述光源发出所述相干光到所述多个支撑销的一个支撑销中和所述工件上,并且使得当所述多个支撑销中的一个不处于所述光源的前方时,所述光源停止发出所述相干光。
11.根据权利要求1所述的热处理设备,其中,所述透射支撑结构包括环形支撑体。
12.根据权利要求11所述的热处理设备,其中,所述环形支撑体相对于所述工件的中心居中。
13.根据权利要求11所述的热处理设备,其中,所述环形支撑体的宽度不小于所述相干光与所述环形支撑体接触的接触区域的直径。
14.根据权利要求11所述的热处理设备,进一步包括控制器,所述控制器被配置为控制所述相干光源持续地发出所述相干光到所述环形支撑体中。
15.一种支撑板,用于在热处理设备中支撑工件,所述支撑板包括:
基座;
从所述基座延伸出的至少一个支撑结构,所述至少一个支撑结构被配置为在热处理期间支撑所述工件,
其中,所述基座包括与第一透热率相关的第一部分和与第二透热率相关的第二部分,所述第二透热率与所述第一透热率不同,其中,所述第二部分位于靠近所述至少一个支撑结构的位置。
16.根据权利要求15所述的支撑板,其中,所述至少一个支撑结构包括支撑销。
17.根据权利要求16所述的支撑板,其中,所述第二部分包括位于所述支撑销接触所述基座的位置的圆形区域,其中,所述圆形区域的直径大于所述支撑销的直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造