[发明专利]热处理系统中用于局部加热的支撑板

说明书

本公开提供了用于在热处理系统中进行局部加热以均匀加热工件的支撑板。在一个示例性实施方式中，通过修改支撑板的透热率来实现局部加热，使得支撑板靠近引起冷点的区域的一个或多个部分比支撑板的其余部分透射更多的热。例如，支撑板的一个或多个部分(例如，靠近一个或多个支撑销的区域)具有比支撑板的其余部分更高的透热率(例如，更高的光透射率)。在另一示例性实施方式中，除了通过来自热源的光整体加热工件之外，还通过穿过透射支撑结构(例如，一个或多个支撑销，或环形支撑体)的相干光源加热工件来实现局部加热。

本申请主张2018年3月20日递交的名称为“热处理系统中用于局部加热的支撑板”的美国临时专利申请第62645476号的优先权权益，其整体内容通过引用而并入本文中以用于所有目的。

技术领域

本公开总体上涉及热处理系统。

背景技术

本文所使用的热处理腔室是指加热诸如半导体晶片等工件的装置。该装置可以包括用于支撑一个或多个半导体晶片的支撑板和用于加热半导体晶片的能量源，例如加热灯、激光器或其他热源。在热处理期间，可以根据预设的温度状况在受控条件下加热半导体晶片。

许多半导体加热工艺要求晶片加热至高温，以便在晶片被制成装置时可以发生各种化学和物理转变。例如，在快速热处理期间，可以用一排灯通过支撑板将半导体晶片从大约300℃加热至大约1200℃，时间通常小于几分钟。在这些工艺中，主要目的是尽可能均匀地加热晶片。

发明内容

本公开实施例的方面和优势将在以下描述中部分阐述，或可从描述中理解，或可从实施例的实施中理解。

本公开的一个示例性方面涉及一种热处理设备。该设备包括被配置为加热工件的多个热源。该设备包括在热处理期间用于支撑工件的可旋转的支撑板。该可旋转的支撑板包括被配置为接触工件的透射支撑结构。该透射支撑结构包括第一末端和第二末端。支撑结构的第一末端被布置为支撑工件。该设备包括用于发出相干光通过透射支撑结构的光源，使得相干光加热工件与透射支撑结构接触的部分。

本公开的其他示例性方面涉及对半导体衬底进行热处理的系统、方法、装置和过程。

参考以下描述和所附权利要求可以更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优势。并入本文并构成本说明书一部分的附图说明了本公开的实施例，并结合描述一起解释相关原理。

附图说明

说明书中参考附图阐述了对本领域普通技术人员而言关于实施例的详细讨论，其中

图1描绘了根据本公开的示例性实施例的具有支撑板的示例性快速热处理(RTP)系统，该支撑板具有空间上布置的低透射区；

图2A和图2B描绘了根据本公开的示例性实施例的具有空间上布置的低透射区的示例性支撑板；

图3描绘了根据本公开的示例性实施例的通过具有空间上布置的低透射区的支撑板来加热工件的过程的流程框图；

图4描绘了根据本公开的示例性实施例的具有可旋转的支撑板和相干光源的示例性RTP系统；

图5描绘了根据本公开的示例性实施例的具有空间上布置的低透射区的示例性基座；

图6描绘了根据本公开的示例性实施例的通过具有空间上布置的低透射区的支撑板来加热工件的相干光的示例；

图7描绘了根据本公开的示例性实施例的具有环形支撑体的示例性可旋转的支撑板；和

图8描绘了根据本公开的示例性实施例的基于可旋转的支撑板和相干光源来加热工件的过程的流程框图。

具体实施方式