[发明专利]用于检测陈化处理的终点的方法和设备在审
申请号: | 201980028383.4 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN112041976A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | S·V·R·科米塞蒂;瑞安·帕茨;赛斯恩德拉·甘塔萨拉;张立明;伊达·滕塞;肖恩·史密斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 陈化 处理 终点 方法 设备 | ||
1.一种用于检测陈化处理的终点的设备,所述设备包括:
处理腔室;
一组传感器,耦接至所述处理腔室;
至少一个存储器,经配置以存储:
陈化进度数据,指示用于第一多个基板中的每一基板的至少一个陈化处理的进度;和
历史参数值,当在所述陈化处理期间处理所述第一多个基板中的每一基板时由从所述一组传感器中选出的多个传感器测量;和
控制器,经配置以:
相对于所述第一多个基板中的特定基板的多个历史参数值,归一化所述第一多个基板中的每一基板的所述历史参数值;
通过将一系数集应用于所述第一多个基板中的每一基板的所述归一化历史参数值,生成多变量分析(MVA)模型;
通过利用所述第一多个基板中的每一基板的所述归一化历史参数值对逻辑方程的输出值执行回归操作来决定所述系数集,其中所述逻辑方程的输入为所述MVA模型的输出;
当处理第二多个基板时,从所述多个传感器接收多个实质实时参数值;和
使用具有所述多个实质实时参数值的所述MVA模型,决定所述陈化处理的终点。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述逻辑方程为:
其中yi为所述MVA模型针对第i个基板的输出,并且Si为指示当处理所述第i个基板时所述陈化处理的进度的陈化指数。
3.如权利要求2所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以当所述第二多个基板中的特定数目的基板的所述陈化指数满足阈值时检测所述陈化处理的所述终点。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述回归操作为最小化所述逻辑方程的输出与所述陈化进度数据中的每一个之间的误差的平方和的最小二乘回归。
5.如权利要求1所述的设备,其中所述回归操作为支持向量机(SVM)回归,所述支持向量机(SVM)回归调整超平面的位置以具有从所述陈化进度数据的向量的最大余量。
6.一种用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法,所述方法包括以下步骤:
获得指示第一多个基板中的每一基板的陈化处理的进度的陈化进度数据;
当处理所述第一多个基板中的每一基板时,获得由从耦接至处理腔室的一组传感器中选出的多个传感器测量的历史参数值;
相对于所述第一多个基板中的特定基板的多个历史参数值,归一化所述第一多个基板中的每一基板的所述历史参数值;
通过将一系数集应用于所述第一多个基板中的每一基板的所述归一化历史参数值,生成多变量分析(MVA)模型;
通过利用所述第一多个基板中的每一基板的所述归一化历史参数值对逻辑方程的输出值执行回归操作来决定所述系数集,其中所述逻辑方程的输入为所述MVA模型的输出;
当处理第二多个基板中的每一基板时,从所述多个传感器接收多个实质实时参数值;和
使用具有所述多个实质实时参数值的所述MVA模型,决定所述陈化处理的终点。
7.如权利要求6所述的方法,进一步包括:取决于所述处理腔室执行的处理的种类,在所述一组传感器中选出所述多个传感器以收集。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述回归操作为分别最小化所述逻辑方程的每一输出与所述陈化进度数据中的每一者之间的误差的平方和的最小二乘回归。
9.如权利要求6所述的方法,其中所述回归操作为支持向量机(SVM)回归,所述支持向量机(SVM)回归调整超平面的位置以具有从所述陈化进度数据的向量的最大余量。
10.如权利要求6所述的方法,其中所述逻辑方程为:
其中yi为所述MVA模型针对第i个基板的输出,并且Si为指示当处理所述第i个基板时所述陈化处理的进度的陈化指数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造