[发明专利]用于检测陈化处理的终点的方法和设备

说明书

一种用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法，该方法包括以下步骤：获得指示第一多个基板中的每一基板的陈化处理的进度的陈化进度数据，以及从设置在处理腔室中的多个传感器收集历史参数值。相对于第一多个基板中的特定基板的多个参数值，归一化第一多个基板中的每一基板的历史参数值。通过将一系数集应用于第一多个基板中的每一基板的归一化参数值来生成MVA模型，及基于陈化进度数据回归该系数集。使用MVA模型决定陈化处理的终点，该MVA模型具有当对第二多个基板中的每个基板执行陈化处理时测量的多个实质实时参数值。

技术领域

本申请涉及用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法和设备。

背景技术

半导体装置制造包括一系列处理，其根据电路设计在半导体(例如，硅基板)中产生电路。在处理腔室(诸如化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)腔室)中执行许多制造处理，诸如沉积或蚀刻。处理腔室的高效、非损害清洁对处理的平稳操作以及改进的装置良率及较好产品效能很重要。因而，需要周期性腔室维护来改进腔室的效能，以产生高质量半导体装置。

在此种腔室维护之后，需要陈化处理在继续正常的生产处理之前恢复适于基板制造处理的腔室条件。由于在处理腔室中执行处理，材料逐步沉积于腔室的内表面上。这可导致处理变量的偏移，直到整个内表面上沉积有材料。因而，需要一种方法以检测陈化处理的终点以识别何时停止陈化处理及生产处理何时可在处理腔室中继续。

发明内容

本公开内容提供用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法和设备。

在一个实施方式中，一种在处理腔室中检测陈化处理的终点的设备，可以包括：处理腔室；耦接至处理腔室的一组传感器；至少一个存储器，经配置以存储指示第一多个基板中的每一基板的过去陈化处理的进度的陈化数据；和历史参数值，在对第一多个基板中的每一基板执行的过去陈化处理期间由从该组传感器选出的多个传感器测量。设备可进一步包括控制器，该控制器经配置以相对于第一多个基板中的特定基板的多个参数值归一化第一多个基板中的每一基板的历史参数值。控制器还可经配置以通过将一系数集应用于第一多个基板中的每一基板的归一化历史参数值来生成多变量分析(multi-variateanalysis；MVA)模型，和通过对逻辑方程的输出值执行回归操作而决定该系数集。逻辑方程的输入为具有第一多个基板中的每一基板的归一化历史参数值的MVA模型的输出。控制器可进一步经配置以当处理第二多个基板时从多个传感器接收多个实质实时参数值，以及使用具有多个实质实时参数值的MVA模型决定陈化处理的终点。

在另一个实施方式中，一种在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法，可以包括以下步骤：获得指示第一多个基板的每一基板的过去陈化处理的进度的陈化进度数据；在对第一多个基板中的每一基板执行的过去陈化处理期间，获得由从耦接至处理腔室的一组传感器中选出的多个传感器测量的历史参数值。方法还可包括以下步骤：相对于第一多个基板中的特定基板的多个参数值，归一化第一多个基板中的每一基板的历史参数值；通过将一系数集应用于第一多个基板中的每一基板的归一化历史参数值，来生成多变量分析(multi-variate analysis；MVA)模型；以及通过对逻辑方程的输出执行回归操作而决定该系数集。逻辑方程的输入为具有第一多个基板中的每一基板的归一化历史参数值的MVA模型的输出。方法可进一步包括以下步骤：当处理第二多个基板中的每一基板时从多个传感器接收多个实质实时参数值，以及使用具有多个实质实时参数值的MVA模型决定陈化处理的终点。