[发明专利]W-Ti溅射靶

说明书

本发明所涉及的W‑Ti溅射靶的特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。

技术领域

本发明涉及一种用于形成W-Ti膜的W-Ti溅射靶。

本申请主张基于2018年11月6日于日本申请的专利申请2018-208952号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，在将半导体芯片安装到基板上时，例如在Al电极或Cu电极上形成Au凸点或焊锡凸点等。

例如，在使Al电极与Au凸点直接接触的情况下，Al和Au相互扩散而导致形成Al和Au的金属间化合物，有可能使电阻上升或者密合性下降。并且，例如在使Cu电极与焊锡凸点直接接触的情况下，Cu和焊锡中的Sn相互扩散而导致形成Cu和Sn的金属间化合物，有可能使电阻上升或者密合性下降。

因此，例如使用专利文献1、专利文献2中所公开的W-Ti溅射靶在接地电极与凸点之间形成W-Ti膜来作为防止元素相互扩散的防扩散层。

在专利文献1、专利文献2中所记载的W-Ti溅射靶分别通过粉末烧结法来制造。

在接地电极与凸点之间形成W-Ti膜来作为防扩散层时，在接地电极的整个面上形成W-Ti膜之后形成凸点，并且通过蚀刻去除没有形成凸点的区域的W-Ti膜。但是，该W-Ti膜的蚀刻速率非常慢，因此存在生产效率差的问题。

因此，在专利文献3中，公开有如下内容，即，通过使用添加了微量Fe的W-Ti溅射靶来使所形成的W-Ti膜中含有Fe，从而能够改善蚀刻速率。

并且，在专利文献4中，公开有如下内容，即，通过规定靶面内的Fe浓度的偏差，能够形成蚀刻速率均匀的W-Ti膜。

专利文献1：日本专利第2606946号公报

专利文献2：日本特开平05-295531号公报

专利文献3：日本专利第4747368号公报

专利文献4：日本专利第5999161号公报

如专利文献3、专利文献4所公开，通过使用添加了微量Fe的W-Ti溅射靶来使所形成的W-Ti膜的蚀刻速率得到改善。

但是，例如如专利文献2中所记载，若在W-Ti溅射靶中混入Fe等杂质，则在溅射成膜时容易发生异常放电，而有可能无法长时间稳定地进行溅射成膜。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种如下W-Ti溅射靶，即，能够通过添加Fe来形成蚀刻速率高的W-Ti膜，并且能够充分地抑制溅射时的异常放电的发生。

本发明人等为了解决上述课题而进行深入研究的结果，发现若Fe粒子在W-Ti溅射靶中以氧化物的状态存在，则在溅射时容易发生异常放电。然后，获得了如下见解，即，若添加Fe并适量添加Cr，则在W-Ti溅射靶内同时存在Fe和Cr，在溅射时，能够抑制由Fe引起的异常放电的发生。

本发明是根据上述见解而完成的，本发明的一方式所涉及的W-Ti溅射靶的特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。

在被设为这种结构的W-Ti溅射靶中，含有25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，因此能够改善所形成的W-Ti膜的蚀刻速率。