[发明专利]NAND数据放置模式

权利要求书

1.一种NAND存储器装置，其包括：

NAND存储器单元阵列，其经组织成多个平面且可通过多个页行寻址；及

控制器，其经配置以执行包括以下各者的操作：

将接收到的数据项的第一部分编程到所述阵列中所述多个页行中的第一页行及所述多个平面中的第一平面处；

将所述接收到的数据项的第二部分编程到所述阵列中所述多个页行中的第二页行及所述多个平面中的第二平面处；及

将所述接收到的数据项的第三部分编程到所述阵列中所述多个页行中的第三页行及所述多个平面中的第三平面处。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作包括通过将XOR运算子应用于所述第一部分、第二部分及第三部分来存储奇偶校验值。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括将所述奇偶校验值存储于所述NAND存储器单元阵列中。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中将所述奇偶校验值存储于经配置为单电平单元SLC存储器单元的所述NAND存储器单元阵列的位置中。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中将所述第一部分、第二部分及第三部分编程到经配置为三电平单元TLC存储器单元的所述NAND存储器单元阵列的位置中。

6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述操作包括：

确定所述第一部分、第二部分或第三部分中的一者被破坏；及

通过利用所述奇偶校验值来恢复所述第一部分、第二部分或第三部分中的所述一者。

7.根据权利要求2所述的存储器装置，其包括：

易失性存储器，其与所述控制器通信；且

其中所述操作进一步包括：

首先将所述奇偶校验值存储于所述易失性存储器中；及

将所述奇偶校验值移动到所述NAND存储器单元阵列。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：

将所述接收到的数据项的第四部分编程到所述阵列中所述多个页行中的第四页行及所述多个平面中的第四平面处。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分包括所述接收到的数据内的个别位。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第三页行及第三平面大于所述第二页行及第二平面，且所述第二页行及第二平面大于所述第一页行及第一平面。

11.一种将数据存储于NAND装置上的方法，所述NAND装置包含组织成多个平面且可通过多个页行寻址的NAND存储器单元阵列，所述方法包括：

将接收到的数据项的第一部分编程到所述阵列中所述多个页行中的第一页行及所述多个平面中的第一平面处；

将所述接收到的数据项的第二部分编程到所述阵列中所述多个页行中的第二页行及所述多个平面中的第二平面处；及

将所述接收到的数据项的第三部分编程到所述阵列中所述多个页行中的第三页行及所述多个平面中的第三平面处。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括通过将XOR运算子应用于所述第一部分、第二部分及第三部分来存储奇偶校验值。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括将所述奇偶校验值存储于所述NAND存储器单元阵列中。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中将所述奇偶校验值存储于经配置为单电平单元SLC存储器单元的所述NAND存储器单元阵列的位置中。