[发明专利]多束检查装置在审

专利信息
申请号: 201980029418.6 申请日: 2019-04-11
公开(公告)号: CN112041965A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 胡学让;刘学东;陈仲玮;任伟明 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 罗利娜
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检查 装置
【说明书】:

公开了一种带电粒子束装置的改进的源转换单元。源转换单元包括第一微结构阵列,该第一微结构阵列包括多个微结构。多个微结构被分组为一个或多个组。一个组中的微结构的对应电极由驱动器电连接和驱动以影响对应的一组束波。一个组中的微结构可以是单极结构或多极结构。一个组中的微结构具有相对于装置的光轴的相同或基本相同的径向偏移。一个组中的微结构相对于其径向偏移方向具有相同或基本相同的取向角。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年5月1日提交的美国申请62/665,451的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文中提供的实施例公开了一种多束检查装置,并且更具体地,公开了一种包括改进的源转换单元的多束检查装置。

背景技术

当制造半导体集成电路(IC)芯片时,在制造过程中,图案缺陷和/或不请自来的颗粒(残留物)不可避免地出现在晶片和/或掩模上,从而大大降低了成品率。例如,对于具有较小关键特征尺寸(已经被采用以满足IC芯片的越来越高的性能要求)的图案,不请自来的颗粒可能会很麻烦。

具有单个电子束的图案检查工具已经用于检测缺陷和/或不请自来的颗粒。这些工具通常采用扫描电子显微镜(SEM)。在SEM中,具有相对较高能量的初级电子束被减速以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上,并且被聚焦以在其上形成探测斑点。由于初级电子的这种聚焦的探测斑点,将从表面生成二次电子。通过在样品表面之上扫描探测斑点并且收集二次电子,图案检查工具可以获取样品表面的图像。

发明内容

本公开的实施例提供了一种多束检查装置,并且更具体地,提供了一种包括改进的源转换单元的多束检查装置。在一些实施例中,提供了一种包括第一组单极结构的微结构阵列。第一组单极结构具有相对于阵列的中心轴线的第一径向偏移,其中第一径向偏移相等或基本相等。此外,第一组单极结构包括由第一驱动器电连接和驱动的对应电极。

在一些实施例中,提供了一种包括第一组多极结构的微结构阵列。第一组多极结构具有相对于阵列的中心轴线的第一径向偏移和第一取向角,其中第一径向偏移相等或基本相等,并且第一取向角相等或基本相等。此外,第一组多极结构包括由第一驱动器电连接和驱动的对应电极。

在一些实施例中,提供了一种带电粒子装置中的源转换单元。源转换单元包括具有第一组多极结构的第一微结构阵列。第一组多极结构具有相对于装置的光轴的第一径向偏移和第一取向角,其中第一径向偏移相等或基本相等,第一取向角相同或基本相同。此外,第一组多极结构包括由与第一微结构阵列相关联的第一驱动器电连接和驱动的对应电极。

附图说明

通过结合附图对示例性实施例的描述,本公开的以上和其他方面将变得更加清楚。

图1是示出根据本公开的实施例的示例性电子束检查(EBI)系统的示意图。

图2是示出根据本公开的实施例的作为图1的示例性电子束检查系统的一部分的示例性多束装置的示意图。

图3A是示例性多束装置的示意图,示出根据本公开的实施例的图1的示例性电子束检查系统的源转换单元的示例性配置。

图3B和3C示出了相对于对应径向方向的示例性偏转特性。

图3D示出了具有偶极配置的示例性多极结构。

图3E示出了具有四极配置的示例性多极结构。

图3F示出了具有八极配置的示例性多极结构。

图4A和4B是示出多极结构阵列的示例性配置的示意图。

图5A是示出根据本公开的实施例的图像形成元件阵列的示例性配置的示意图。

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