[发明专利]臭氧水的制造方法在审

申请号：	201980029833.1	申请日：	2019-04-26
公开（公告）号：	CN112088422A	公开（公告）日：	2020-12-15
发明（设计）人：	白井泰雪;酒井健;自在丸隆行	申请（专利权）人：	国立大学法人东北大学;野村微科学股份有限公司
主分类号：	H01L21/304	分类号：	H01L21/304;B01F1/00;B01F3/04;B01F5/06;C02F1/68;G03F7/42;H01L21/027;C11D7/18;C11D7/54
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	臭氧制造方法
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【说明书】：

对于以往的臭氧水而言，当今的半导体制造领域所要求的抗蚀剂去除速度/清洗力尚不充分，在食材的清洗、加工设备/器具的清洗、手指的清洗等领域、进而在消臭/脱臭/除菌/食材保鲜等领域中，也无法充分满足进一步提高杀菌/除菌/消臭/脱臭/清洗效果的期待。上述课题可通过将臭氧水的制造中的某些特定的多个制造参数的值规定为某一特定范围来解决。

技术领域

本发明涉及臭氧水的制造方法，进而，还涉及通过该制造方法而得到的臭氧水、使用该臭氧水的处理方法。

背景技术

在半导体基板、液晶显示器、有机EL显示器等的功能性电子构件及其制造过程所使用的光掩模等的制造领域中，包括从附带有在制造过程中使用的光致抗蚀剂等抗蚀剂的构件表面剥离清洗(以后有时也记作“清洗去除”或简写为“去除”、“清洗”)不需要的抗蚀剂的工序。

在抗蚀剂的剥离清洗中，通常，对于附带有抗蚀剂的构件表面，首先通过使用将硫酸与过氧化氢水溶液混合而成的硫酸/过氧化氢水溶液的SPM(sulfuric-acid andhydrogen-peroxide mixture)(H₂SO₄/H₂O₂/H₂O)清洗来进行抗蚀剂的剥离。其后，进行基于氨/过氧化氢水溶液(APM)的APM(ammonium hydrogen-peroxide mixture：氨/过氧化氢水溶液混合液)清洗；基于盐酸/过氧化氢水溶液(HPM)的HPM(HCl/H₂O₂/H₂O：盐酸/过氧化氢/纯水的混合化学试剂)清洗；基于稀氢氟酸(DHF)的DHF(HCl/H₂O₂/H₂O：盐酸/过氧化氢/纯水的混合化学溶液)清洗等湿式清洗。其后，进行干燥而结束一系列的清洗处理。

当今，抗蚀剂的清洗去除中，热浓硫酸为主流，但为了销毁浓硫酸而需要庞大的能量和成本，成为重的环境负担。另外，针对上述的其它清洗液也分别存在或大或小的相同课题。

近年来，作为它们的对策，提出了使用与以往的清洗相比污染物质少、随着时间的经过而变成无害物质(没有药剂残留性)的臭氧水来作为替代的方法。

为了提高臭氧水的清洗效果，截止至今提出了如下方案：

(1)提高臭氧水中的臭氧浓度(溶解臭氧浓度)(例如专利文献1：日本特开2012-578号公报)；

(2)制成高温的臭氧水(例如专利文献2：日本特开2009-56442号公报、非专利文献1、非专利文献2)。

专利文献1中，虽然图2未记载温度，但记载了臭氧浓度为347mg/L、370mg/L的臭氧水。

专利文献2的图3中记载了臭氧水温度为50℃、臭氧水的臭氧浓度为135mg/L、臭氧水温度为80℃、臭氧水的臭氧浓度为85mg/L的高温臭氧水。

非专利文献1中记载了臭氧水温度为70℃、臭氧水的臭氧浓度为200mg/L的高温臭氧水。

非专利文献2中记载了臭氧水温度为75℃、臭氧水的臭氧浓度为120mg/L的高温臭氧水。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-578号公报