[发明专利]产生用于阵列区的缺陷样本

说明书

本发明提供用于产生用于样品的缺陷样本的方法及系统。一种方法包含基于通过输出获取子系统的检测器产生的输出检测样品上的缺陷。对于在所述样品上的阵列区中检测到的所述缺陷，其中所述阵列区包含多个阵列单元类型，所述方法包含基于所述多个阵列单元类型堆叠所述缺陷的信息。所述堆叠包含叠加仅所述多个阵列单元类型中的第一者的设计信息与仅在所述多个阵列单元类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息。另外，所述方法包含基于所述堆叠的结果选择经检测缺陷的部分，借此产生所述经检测缺陷的样本。

技术领域

本发明大体上涉及用于产生在样品上检测到的缺陷的样本的方法及系统。

背景技术

以下描述及实例并未凭借其包含于此段落中而被承认是现有技术。

制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以某一布置制造于单个半导体晶片上且接着分离成个别半导体装置。

在半导体制造工艺期间的每一个步骤使用检验过程来检测晶片上的缺陷。检验过程始终为制造半导体装置(例如集成电路)的重要部分。然而，随着半导体装置尺寸的减小，检验过程对于成功地制造可接受半导体装置变得更加重要。例如，随着半导体装置尺寸的减小，检测大小减小的缺陷已成为必要，这是因为甚至相对较小缺陷也可引起半导体装置中的非所要像差。

一旦已通过检验检测到缺陷，便可以一或多个方式产生所述缺陷的额外信息。例如，可通过缺陷重检重新访查缺陷，其中使用具有大于检验期间所使用的分辨率能力的分辨率能力的系统来产生缺陷的图像。接着，使用此类图像产生的关于缺陷的信息可用于确定缺陷的类型(或分类)。例如，缺陷可分类为颗粒型缺陷、桥接型缺陷、刮痕型缺陷及类似者。

归因于在任何给定检验中检测到的缺陷的数目且归因于在缺陷重检及通过其它手段产生缺陷的额外信息时所涉及的时间，并未在缺陷重检中进一步处理在检验中检测到的全部缺陷。代替性地，在几乎每种情况中，通过仅选择全部经检测缺陷的部分而产生缺陷的样本。接着，仅进一步处理缺陷的样本。接着，可将缺陷重检或其它处理的结果外推回到整个经检测缺陷群体。

已发展出用于针对其它过程产生经检测缺陷的样本的许多方法。当前使用的方法的一些实例包含随机取样及多样性取样。顾名思义地执行随机取样：随机地选择经检测缺陷的部分且接着进行组合以产生缺陷样本。多样性取样是基于通过检验确定的缺陷的一或多个特性而执行，以借此选择具有最多样化的特性集的缺陷。也已产生用于缺陷取样的许多更复杂方法。

由于使用对缺陷样本的进一步处理来确定整个经检测缺陷群体的特性，因此必须关注缺陷样本准确地表示缺陷群体整体。另外，还关注缺陷样本适用于确定关于用户感兴趣的经检测缺陷的信息。例如，如果对晶片上的裸片中的不同区域执行检验，但用户仅想要关于仅在所述区域中的一者中检测到的缺陷的额外信息，那么包含在除所述一个区域以外的区域中检测到的缺陷的缺陷样本对于所述应用将为不令人满意的(例如，对用户不感兴趣的缺陷执行额外处理是浪费的)。

在除其它区域的特定区域中产生缺陷样本也更困难。例如，产生用于形成于晶片或其它样品上的裸片中的阵列区的缺陷样本可尤其困难。在一个此实例中，典型设计具有阵列区的多个例子，且所述例子中的每一者包含不同类型的阵列单元或位单元。当前使用的系统及方法未使用此阵列单元或位单元位置信息用于取样。代替性的，尽管例如iDO(其在商业上可购自加利福尼亚州米尔皮塔斯市的科磊公司(KLA-Tencor,Milpitas,Calif.))及扰乱点(nuisance)事件过滤器的构件可用，但当前执行的从阵列区取样仍为手动的且相当繁琐。对于当前执行的在阵列区中取样，有效取样所涉及的时间可在3到5小时之间，这是因为其可涉及多次迭代取样。