[发明专利]磁记录介质用溅射靶

权利要求书

1.一种磁记录介质用溅射靶，其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B₂O₃的氧化物相，

相对于所述磁记录介质用溅射靶的金属相成分的合计，含有1摩尔％以上且30摩尔％以下的Pt、0.5摩尔％以上且15摩尔％以下的选自Cu和Ni中的至少一种以上，

相对于所述磁记录介质用溅射靶整体，含有25体积％以上且40体积％以下的所述氧化物相。

2.如权利要求1所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，所述氧化物相还含有选自TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、Cr₂O₃、Al₂O₃、Nb₂O₅、MnO、Mn₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO、ZnO、Y₂O₃、MoO₂、WO₃、La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Yb₂O₃、Lu₂O₃和ZrO₂中的一种以上氧化物。

3.一种磁记录介质用溅射靶，其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、选自Cr、Ru和B中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B₂O₃的氧化物相。

4.如权利要求3所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，

相对于所述磁记录介质用溅射靶的金属相成分的合计，含有1摩尔％以上且30摩尔％以下的Pt、0.5摩尔％以上且15摩尔％以下的选自Cu和Ni中的至少一种以上、大于0.5摩尔％且30摩尔％以下的选自Cr、Ru和B中的至少一种以上，

相对于所述磁记录介质用溅射靶整体，含有25体积％以上且40体积％以下的所述氧化物相。

5.如权利要求3所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，所述氧化物相还含有选自TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、Cr₂O₃、Al₂O₃、Nb₂O₅、MnO、Mn₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO、ZnO、Y₂O₃、MoO₂、WO₃、La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Yb₂O₃、Lu₂O₃和ZrO₂中的一种以上氧化物。

6.如权利要求4所述的磁记录介质用溅射靶，其特征在于，所述氧化物相还含有选自TiO₂、SiO₂、Ta₂O₅、Cr₂O₃、Al₂O₃、Nb₂O₅、MnO、Mn₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO、ZnO、Y₂O₃、MoO₂、WO₃、La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Yb₂O₃、Lu₂O₃和ZrO₂中的一种以上氧化物。