[发明专利]磁记录介质用溅射靶

说明书

为了进一步高容量化，提供能够制作提高单轴磁各向异性、降低晶粒间交换耦合、提高热稳定性和SNR(信噪比)的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。一种磁记录介质用溅射靶，其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B₂O₃的氧化物相。

技术领域

本发明涉及磁记录介质用溅射靶，详细而言，涉及含有Co、Pt和氧化物的溅射靶。

背景技术

在硬盘驱动器的磁盘中，信息信号被记录于磁记录介质的微细的字节中。为了进一步提高磁记录介质的记录密度，需要在缩小保持一个记录信息的字节的大小的同时使作为信息品质的指标的信号相对于噪声的比率也增大。为了使信号相对于噪声的比率增大，增大信号或减少噪声是必不可少的。

现在，作为承担信息信号的记录的磁记录介质，使用包含CoPt基合金-氧化物的颗粒结构的磁性薄膜(例如参见非专利文献1)。该颗粒结构由柱状的CoPt基合金晶粒和包围其周围的氧化物的晶界构成。

对这样的磁记录介质进行高记录密度化时，需要使记录字节间的过渡区域平滑化从而减少噪声。为了使记录字节间的过渡区域平滑化，磁性薄膜中所含的CoPt基合金晶粒的微细化是必须的。

一方面，磁性晶粒进行微细化时，一个磁性晶粒能够保持的记录信号的强度减小。为了兼顾磁性晶粒的微细化和记录信号的强度，需要减小晶粒的中心间距离。

另一方面，磁记录介质中的CoPt基合金晶粒的微细化进行时，有时会产生所谓的热起伏现象，即，由于超顺磁现象使得记录信号的热稳定性受损而使记录信号消失。该热起伏现象对于磁盘的高记录密度化成为很大的阻碍。

为了解决该阻碍，在各CoPt基合金晶粒中，需要使磁能增大以使磁能战胜热能。各CoPt基合金晶粒的磁能由CoPt基合金晶粒的体积v与磁晶各向异性常数Ku的积v×Ku来决定。因此，为了使CoPt基合金晶粒的磁能增大，使CoPt基合金晶粒的磁晶各向异性常数Ku增大是必不可少的(例如参见非专利文献2)。

另外，为了使具有大的Ku的CoPt基合金晶粒以柱状生长，必须实现CoPt基合金晶粒与晶界材料的相分离。CoPt基合金晶粒与晶界材料的相分离不充分、CoPt基合金晶粒间的晶粒间相互作用增大时，包含CoPt基合金-氧化物的颗粒结构的磁性薄膜的矫顽力Hc减小，热稳定性受损而容易产生热起伏现象。因此，减小CoPt基合金晶粒间的晶粒间相互作用也很重要。

磁性晶粒的微细化以及磁性晶粒的中心间距离的减小有可能通过使Ru基底层(为了磁记录介质的取向控制而设置的基底层)的晶粒微细化而能够实现。

但是，难以在维持结晶取向的同时使Ru基底层的晶粒微细化(例如参见非专利文献3)。因此，现有的磁记录介质的Ru基底层的晶粒的大小与从面内磁记录介质变为垂直磁记录介质时的大小几乎没有变化，约为7nm～8nm。

另一方面，从不针对Ru基底层而对磁记录层加以改良的观点考虑，还进行了推进磁性晶粒的微细化的研究，具体而言，研究了如下方法：使CoPt基合金-氧化物磁性薄膜的氧化物的添加量增加而减少磁性晶粒体积比率，从而使磁性晶粒微细化(例如参见非专利文献4)。并且，通过该方法实现了磁性晶粒的微细化。但是，在该方法中，通过增加氧化物添加量而使得晶界的宽度增加，因此不能减小磁性晶粒的中心间距离。