[发明专利]多光谱光传感器在审
申请号: | 201980030557.0 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN112088434A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | K-W·曾;Y-M·林 | 申请(专利权)人: | 威世科技公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/101;H01L27/144;G01J3/02;G01J3/28;G01J3/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王永建 |
地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光谱 传感器 | ||
1.一种光电装置,其包括:
包括多个第一光电二极管的光电二极管阵列,每一个第一光电二极管包括相应的n+区以及相应的n型井区;
设置在所述光电二极管阵列上方的导向阵列,所述导向阵列包括通过遮光材料层彼此分开的多个导向构件,所述导向构件与所述第一光电二极管的n+区对准,使得每一个导向构件设置在不同的相应的n+区上方,并且所述遮光材料层与所述第一光电二极管的n型井区对准;以及
设置在所述导向阵列上方的滤波器阵列,所述滤波器阵列包括多个带通滤波器,每一个带通滤波器与所述多个导向构件中的不同的导向构件对准,每一个带通滤波器具有不同的通频带。
2.如权利要求1所述的光电装置,其中,所述遮光材料层包括反光材料和吸光材料中的至少一种。
3.如权利要求1所述的光电装置,其中,每一个导向构件由透光材料形成。
4.如权利要求1所述的光电装置,其中:
所述光电二极管阵列包括不同于所述第一光电二极管的多个第二光电二极管,
所述第一光电二极管中的每一个设置在相应的被布置为透射在可见光波段中的光的带通滤波器下面,并且
所述第二光电二极管中的每一个定位在相应的被布置为透射在紫外光波段中的光的带通滤波器下面。
5.如权利要求1所述的光电装置,其进一步包括:
红外线通过(IR通过)滤波器,其设置在具有在IR波段中的通频带的带通滤波器中的至少一个上方;以及
IR截止滤波器,其设置在具有在IR波段之外的通频带的带通滤波器中的至少一个上方。
6.如权利要求1所述的光电装置,其中,所述滤波器阵列包括形成在所述导向阵列上方的连续或分段的第一金属层、以及形成在所述第一金属层上方的连续或分段的第二金属层,所述第二金属层包括多个部分,使得所述第二金属层中的每一个部分与所述第一金属层间隔开不同的距离。
7.如权利要求6所述的光电装置,其中:
所述遮光材料层具有第一厚度,所述第一厚度大于导向构件中的给定导向构件的第二厚度,并且
所述滤波器阵列中的至少一个带通滤波器包括相应的第一金属部分以及与所述第一金属部分间隔开的相应的第二部分,所述相应的第一部分设置在所述导向阵列的导向构件中的所述给定导向构件的上方,使得所述相应的第一金属部分的至少一些位于所述遮光层的顶表面的高度下面。
8.如权利要求1所述的光电装置,其进一步包括:
输入-输出(I/O)接口;以及
处理器,其被配置为:
接收多个信号,所述信号中的每一个由所述第一光电二极管中的不同的第一光电二极管生成;
基于所述多个信号来生成入射在所述光电二极管阵列上的光的色彩的指示;以及
经由所述I/O接口来输出光的色彩的指示。
9.一种光电装置,其包括:
包括多个第一光电二极管的光电二极管阵列;
设置在所述光电二极管阵列上方的导向阵列,所述导向阵列包括通过遮光材料层彼此分开的多个导向构件,每一个导向构件与所述多个第一光电二极管中的不同的第一光电二极管对准;以及
设置在所述导向阵列上方的滤波器阵列,所述滤波器阵列包括多个带通滤波器,每一个带通滤波器与所述多个导向构件中的不同的导向构件对准,并且每一个带通滤波器具有不同的相应的通频带。
10.如权利要求9所述的光电装置,其中,所述遮光材料层包括反光材料和吸光材料中的至少一种。
11.如权利要求9所述的光电装置,其中,每一个导向构件由透光材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威世科技公司,未经威世科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980030557.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的