[发明专利]聚氨酯的改性方法、聚氨酯、抛光垫及抛光垫的改性方法

说明书

本发明使用包括准备具有烯属不饱和键的聚氨酯的工序、以及用含有具有共轭双键的化合物的液体对聚氨酯进行处理的工序的聚氨酯的改性方法，或者使用包括准备具有共轭双键的聚氨酯的工序、以及用含有具有烯属不饱和键的化合物的液体对聚氨酯进行处理的工序的聚氨酯的改性方法。

技术领域

本发明涉及聚氨酯的改性方法、聚氨酯、以及抛光垫。

背景技术

作为对半导体晶片进行镜面加工、或者为了在半导体基板上形成电路而使具有氧化膜等绝缘膜、导电体膜的被抛光物的表面平坦化的工序中所使用的抛光方法，已知有化学机械抛光(CMP)。CMP是一边向被抛光物的表面供给包含磨粒和反应液的浆料一边用抛光垫对被抛光物进行高精度地抛光的方法。作为CMP中使用的抛光垫的原材料，优选使用聚氨酯。

近年来，随着在半导体基板上形成的电路的高度集成化及多层布线化的发展，对CMP要求抛光速度的提高、更高的平坦度。为了满足这样的要求，为了通过提高浆料中的磨粒与抛光垫的抛光面的亲和性来提高抛光速度，提出了调整聚氨酯的表面的zeta电位的技术等表面特性的改良。例如，下述专利文献1公开了一种抛光垫，将抛光垫安装于抛光装置，在启动了抛光装置的使用初期阶段，可以缩短通过修整处理进行抛光面的整形处理的准备工序(磨合(启动))所需的时间。专利文献1中公开了一种抛光垫，其具有被压接于被抛光物的抛光面，抛光面的起伏为周期5mm～200mm，最大振幅为40μm以下。另外，专利文献1公开了在抛光面的zeta电位为-50mV以上且小于0mV的情况下，通过抑制浆料中的负磨粒对抛光面的排斥，使抛光面与磨粒的适应变得良好，实现磨合时间的缩短。

另外，下述专利文献2中公开了一种抛光垫，其通过抑制抛光屑附着于抛光面而减少被抛光物表面的划痕、缺陷的产生，提高产品的成品率，并且可以得到高的平坦化性能和适度的抛光速度。专利文献2中公开了一种抛光垫，其与被抛光物相对的抛光面的zeta电位小于-55mV且为-100mV以上。

另外，下述专利文献3中公开了一种抛光垫，其在CMP中固定于抛光台而用于抛光，而且能够以低负荷且不在绝缘层产生缺陷地进行抛光。专利文献3公开了一种抛光垫，其在抛光面的至少一部分使用了室温下的拉伸弹性模量为0.2GPa以上、且供给至被抛光物与抛光垫之间的浆料的pH范围中的zeta电位为+0.1～+30mV的材质。另外，在专利文献3中，作为比较例，公开了一种抛光垫，其在使用pH3～5的酸性浆料进行CMP的情况下，zeta电位为-8.5mV。

然而，作为抛光垫的抛光层的原材料，优选使用了聚氨酯。聚氨酯通过使含有扩链剂、高分子多元醇以及有机多异氰酸酯等的氨基甲酸酯原料进行反应来制造。例如，下述专利文献4公开了一种由含酰胺基二醇构成的扩链剂，其作为聚氨酯树脂的原料成分使用，所述聚氨酯树脂的原料成分能够制造机械强度优异且具备优异的热稳定性的热塑性聚氨酯树脂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开2008-029725号小册子

专利文献2：日本特开2013-018056号公报

专利文献3：日本特开2005-294661号公报

专利文献4：日本特开2011-213866号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于提供能够容易地对表面特性进行改性的聚氨酯的改性方法、聚氨酯、抛光垫及抛光垫的改性方法。

解决问题的方法