[发明专利]具有防潮包封的封装电子电路及其形成方法

权利要求书

1.一种制备电子电路的方法，所述方法包括：

以第一温度在第一金属层的一部分上形成第一聚合物层；

与所述第一金属层相反地在所述第一聚合物层上形成第二金属层；

以第二温度在所述第二金属层上和所述第一聚合物层上形成电介质层，所述第二温度小于所述第一温度；和

以第三温度在所述电介质层上的形成第二聚合物层，所述第三温度小于所述第二温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层包括第二电介质层，所述方法进一步包括：在形成所述第二金属层之前，在所述第一金属层上形成第一电介质层，其中，所述第一金属层、所述第一电介质层和所述第二金属层形成电容器。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一金属层形成在基板上，其中所述第一聚合物层形成在所述第二金属层的外围与所述第一金属层之间，并且其中所述第一聚合物层在垂直于所述基板的上表面的方向上的厚度大于所述第一电介质层的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二金属层的外围比所述第二金属层的中心在所述第一金属层的上方更远地间隔开。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一金属层耦接到晶体管的栅极。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一聚合物层不在所述第二金属层的中心与所述第一金属层之间。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一电介质层形成在所述第一金属层的顶表面上，所述第一聚合物层形成在所述第一金属层和所述第一电介质层中的至少一个的顶表面上，所述第二金属层形成在所述第一电介质层的顶表面上，所述第二电介质层形成在所述第一聚合物层的顶表面上，并且所述第二聚合物层形成在所述第二电介质层的顶表面上。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中，所述电介质层包括氧或氮中的至少一种以及硅，并且其中，所述第一聚合物层和第二聚合物层均是基于碳的层。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的方法，其中，所述电介质层和所述第二聚合物层形成在晶片上，所述方法进一步包括：在形成所述电介质层和所述第二聚合物层之后，将所述晶片切成单独的芯片。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中，所述第二金属层包括耦接在晶体管的栅极电极和栅极指之间的栅极跳线。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的方法，其中，所述第一金属层包括金属迹线，所述金属迹线包括具有基本相同的瞬时电流方向的自耦接部分。

12.根据权利要求1-11中的任一项所述的方法，其中，所述电子电路是封装的单片微波集成电路。

13.根据权利要求1-12中的任一项所述的方法，其中，所述第一金属层形成在基板上，所述方法进一步包括：在所述基板上形成多个晶体管，其中所述电介质层形成在所述晶体管的上表面上，并且所述第二聚合物层不形成在所述晶体管的上表面上。

14.根据权利要求1-13中的任一项所述的方法，其中，所述第一金属层形成在基板上，并且其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层在垂直于所述基板的上表面的方向上比所述第一电介质层厚。