[发明专利]具有防潮包封的封装电子电路及其形成方法

说明书

一种电子电路，包括：具有上表面的基板、在基板的上表面上的第一金属层、与基板相反地在第一金属层上的第一聚合物层、与第一金属层相反地在第一聚合物层上的第二金属层、在第二金属层的至少一部分和第一聚合物层上的电介质层、以及在电介质层上的第二聚合物层。

技术领域

本文描述的发明构思涉及电子电路，并且更具体地，涉及具有保护性包封的封装电子电路。

背景技术

多种封装电子电路在本领域中是已知的。这些电路可以包括一个或多个半导体集成电路芯片和/或其它电子电路基板，这些半导体集成电路芯片和/或其它电子电路基板具有形成在其上的诸如电容器、电感器和/或电阻器之类的分立电子组件，这些分立电子组件容纳在公共保护性封装内。举例来说，内部匹配的场效应晶体管(“FET”)功率放大器是本领域中已知的一种封装电子电路。内部匹配的FET功率放大器可以包括一个或多个集成电路芯片，该集成电路芯片具有多个单位单元晶体管，这些单位单元晶体管被并行布置以提供多个并行放大路径。单位单元晶体管可以包括例如高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管例如可以使用诸如基于碳化硅和/或氮化镓的半导体材料之类的宽带隙半导体材料来形成。(一个或多个)集成电路芯片可以例如与其它电子电路基板一起封装在保护性封装中，其它电子电路基板诸如是印刷电路板或陶瓷电路基板并包括阻抗匹配网络、传输线、功率分裂和组合结构等。保护性封装可以包括一个或多个输入和输出引线或焊盘。接合线可以用于将集成电路芯片和其它电子电路基板彼此连接和/或连接到保护性封装的输入/输出引线。

单片微波集成电路(“MMIC”)是本领域中已知的另一封装电子电路。MMIC芯片被设计为以无线电或微波频率来操作，并且所有电路元件都形成在单个“单片”集成电路芯片上，该单个“单片”集成电路芯片被包围在具有适当输入和输出(例如，引线)的保护性封装中。接合线可以用于将集成电路芯片上的电路元件电连接到保护性封装的输入/输出引线。MMIC放大器如今已得到广泛使用，并且包括高功率MMIC放大器(通常在通信电路的发送侧使用)和低噪声MMIC放大器(通常在通信电路的接收侧使用)。MMIC放大器通常包括一个或多个晶体管放大器级，并且还可以包括其它元件，其它元件诸如是全部在单个集成电路芯片上实现的阻抗匹配网络和馈电网络。MMIC放大器通常具有单位单元晶体管设计，其中装置的每个放大级都实现为多个“单位单元”晶体管，多个“单位单元”晶体管被并行布置以提供多个并行放大路径。单位单元晶体管可以包括例如使用宽带隙半导体材料形成的高电子迁移率晶体管。其它常见的MMIC装置包括RF混频器和高频开关电路。

对于许多封装电子电路来说，可靠性可能是重要的性能特性。例如，MMIC放大器通常部署在蜂窝基站的天线中或附近，因此可以安装在离地面数十或数百英尺的位置。蜂窝基站运营商通常要求组件制造商的非常高水平的可靠性，因为必须将网络中断保持在最低并且因为更换故障的“塔顶”组件需要经过培训的技术人员进行昂贵的爬塔。

发明内容

依据本发明的实施例，提供了制备电子电路的方法。依据这些方法，在基板上形成第一金属层。以第一温度在第一金属层的一部分上形成第一聚合物层。与第一金属层相反地在第一聚合物层上形成第二金属层。以第二温度在第二金属层上和第一聚合物层上形成电介质层，该第二温度小于第一温度。以第三温度在电介质层上形成第二聚合物层，该第三温度小于第二温度。电子电路可以是封装电子电路。

在一些实施例中，电介质层可以是第二电介质层，并且该方法可以进一步包括：在形成第二金属层之前，在第一金属层上形成第一电介质层。在一些这样的实施例中，第一金属层、第一电介质层和第二金属层可以形成电容器。

在一些实施例中，第一聚合物层形成在第二金属层的外围与第一金属层之间，并且第一聚合物层在垂直于基板的上表面的方向上的厚度大于第一电介质层的厚度。

在一些实施例中，第二金属层的外围可以比第二金属层的中心在第一金属层的上方更远地间隔开。

在一些实施例中，第一金属层可以耦接到晶体管的栅极。