[发明专利]具有零负载的基于CVD的间隔物沉积

权利要求书

1.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：

通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将具有图案化的区域和覆盖区域的所述基板同时暴露于至少沉积前驱物和调整气体，来在所述基板上沉积保形介电层，其中所述沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，并且所述化学反应副产物与所述调整气体相同，并且其中所述沉积前驱物和所述调整气体是以大于沉积反应在所述图案化的区域和所述覆盖区域处发生所需的量提供的。

2.如权利要求1所述的方法，其中沉积前驱物包括硅，并且所述调整气体和所述沉积前驱物是以约1:2到约1:6的体积流量比(调整气体:沉积前驱物)提供的。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层的沉积进一步包括以下步骤：将所述基板暴露于n型或p型掺杂气体。

4.如权利要求1所述的方法，其中沉积前驱物包括硅，并且所述调整气体和所述沉积前驱物是以比可以在所述图案化的区域和所述覆盖区域处消耗的所述调整气体和所述沉积前驱物的量大至少20％的量提供的。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括以下步骤：选择性地从所述基板的水平面移除所述保形介电层，以在从所述水平面延伸的多个特征的垂直面上形成侧壁间隔物。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积前驱物包括含碳前驱物。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含碳前驱物包括碳氢化合物。

8.一种处理基板的方法，包括以下步骤：

将沉积前驱物和调整气体共流到处理腔室中，所述调整气体包括所述沉积前驱物的反应副产物；

将所述基板的表面暴露于所述沉积前驱物和所述调整气体；以及

在不点燃所述沉积前驱物和所述调整气体的等离子体的情况下，将材料层沉积到所述基板上。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述调整气体和所述沉积前驱物是以比可以在所述基板的所述表面处消耗的所述调整气体和所述沉积前驱物的量大至少20％的量提供的。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述沉积前驱物包括硅，并且所述调整气体包括氢气。

11.如权利要求8所述的方法，其中：

所述基板包括覆盖区域和设置在所述覆盖区域附近的图案化的区域，并且

沉积在所述图案化的区域中的所述材料层的厚度与沉积在所述覆盖区域中的所述材料层的厚度的差异小于2％。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述材料层包括含硅介电材料。

13.如权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：从所述基板的水平面选择性地移除所述材料层，以在从所述水平面延伸的多个特征的垂直面上形成侧壁间隔物。

14.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：

通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将具有图案化的区域和覆盖区域的基板同时暴露于至少沉积前驱物和调整气体，来在所述基板上沉积保形含硅介电层，其中

所述沉积前驱物气体起反应以形成化学反应副产物，

所述化学反应副产物与所述调整气体相同，

所述沉积前驱物和所述调整气体是以比可以在所述图案化的区域和所述覆盖区域的表面处消耗的量大至少20％的量提供的，并且

沉积在所述图案化的区域中的所述含硅介电层的厚度与沉积在所述覆盖区域中的所述含硅介电层的厚度的差异小于2％。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述调整气体包括氢气(H₂)，并且所述含硅介电层包括一氧化硅。