[发明专利]具有零负载的基于CVD的间隔物沉积

说明书

本公开的实施例与具有零图案负载特性的介电层沉积方法相关。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将基板同时暴露于沉积前驱物和调整气体，来在具有图案化的区域和覆盖区域的基板上沉积保形介电层，其中该沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，且该化学反应副产物与该调整气体相同，并且其中该沉积前驱物和该调整气体是以大于沉积反应在该图案化的区域和该覆盖区域处发生所需的量提供的。

技术领域

本公开的实施例大致与用于半导体处理的方法相关。具体而言，本公开的实施例与用于沉积保形介电膜的方法相关。

背景技术

已经将介电层用于例如现代半导体组件制造中的阻挡层或间隔物的应用。可以使用沉积处理(例如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD))将介电层沉积在图案化的基板中的特征(例如沟槽或通孔)上方。接着各向异性地蚀刻介电层以在特征的任一侧上形成间隔物。虽然使用ALD处理来沉积间隔物的方法可以由于ALD处理的自限性质在特征上方提供保形层，但由于热CVD的反应机制，使用热CVD处理用零图案负载跨图案化的基板和覆盖基板形成高度保形的介电层一直是有挑战性的。

因此，本领域中需要提供一种改善的热CVD方法以供用减少的图案负载在高的深宽比沟槽中沉积介电层。

发明内容

本公开的实施例大致与具有减少的(例如零)图案负载特性的介电层沉积方法相关。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将基板同时暴露于沉积前驱物和调整气体，来在具有图案化的区域和覆盖区域的基板上沉积保形介电层，其中沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，并且化学反应副产物与调整气体相同，并且其中沉积前驱物和调整气体是以大于沉积反应在图案化的区域和覆盖区域处发生所需的量提供的。

附图说明

可以通过参照描绘于附图中的本公开的说明性实施例来了解本公开内容的实施例，该实施例在上文被简要概述并且在下文被更详细地论述。然而，要注意，附图仅绘示此公开的典型实施例，并且因此不应将该附图视为本公开的范围的限制，因为本公开可以允许其他同等有效的实施例。

图1描绘根据本公开的实施例的与示例性自对准双图案化(SADP)处理相关联的处理的流程图。

图2A-2E绘示由图1中所描绘的处理所形成的结构的横截面图。

为了促进了解，已尽可能使用相同的附图标记来标志附图共有的相同构件。该附图并不是按比例绘制的，且可以为了明确起见而简化该附图。构想到，可以在不另外详述的情况下有益地将一个实施例的构件和特征并入其他实施例。

具体实施方式

本公开的实施例提供了具有零图案负载特性的介电层沉积方法。这些方法使用来自沉积前驱物和调整气体的介电层热化学气相沉积(CVD)。沉积处理可以包括以下步骤：将具有图案化的区域和覆盖区域的基板暴露于在低温下以增加的分压和气体速度提供的沉积前驱物和调整气体。这些处理条件允许跨基板的整个表面以相同的沉积/反应速率沉积介电层。因为沉积/反应速率对于图案化的区域和覆盖区域两者而言是相同的，所以这些区域之间的膜厚度的变化是零或减少到最小值。其结果是，可以用零图案负载在图案化的区域和覆盖区域上方形成保形的介电层。

可以用来实行本公开的实施例的示例性腔室可以包括可从加州圣克拉拉市的应用材料有限公司购得的PRODUCER^TM CVD腔室、PRODUCER SACVD^TM腔室、XPPRECISION^TM CVD腔室、处理腔室、或PRODUCER HARP^TM腔室。能够执行CVD处理的其他工具也可以适于受益于本文中所述的实施例。此处理的腔室可以个别配置，但也可以是集成工具的一部分。可以在任何基板(例如200mm、300mm、或450mm基板、或适于半导体处理的其他介质)上执行处理。