[发明专利]用于集成的端到端自对准多重图案化工艺的操作平台和方法在审
申请号: | 201980032362.X | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN112189255A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 罗伯特·克拉克;理查德·法雷尔;坎达巴拉·塔皮利;安热利克·雷利;索菲·蒂博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/027;H01L29/78;H01L29/66;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成 端到端 对准 多重 图案 化工 操作 平台 方法 | ||
1.一种使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法,该公共生产平台托管多个加工模块,该多个加工模块包括一个或多个成膜模块、一个或多个刻蚀模块和一个或多个搬送模块,该集成的加工步骤序列包括:
将工件接收到该公共生产平台中,该工件具有形成在其上的心轴图案,该心轴图案包括分隔开第一间距距离的多个第一特征;
使用该一个或多个成膜模块和该一个或多个刻蚀模块、至少部分地基于该心轴图案来形成侧壁间隔物图案,该侧壁间隔物图案包括分隔开第二间距距离的多个第二特征,其中,该第一间距距离大于该第二间距距离;
其中,该集成的加工步骤序列是在该公共生产平台内的受控环境中且不离开该受控环境的情况下执行的,并且其中,该一个或多个搬送模块用于在使该工件维持在该受控环境内的同时在该多个加工模块之间搬送该工件。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在该受控环境内,获得与该侧壁间隔物图案的形成相关的测量数据,并且基于该测量数据确定该侧壁间隔物图案的厚度、宽度或轮廓是否满足目标条件。
3.如权利要求2所述的方法,其中,该多个加工模块包括校正模块,该方法进一步包括:
当确定该侧壁间隔物图案的厚度、宽度或轮廓不满足该目标条件时,在该校正模块中对该工件进行加工以更改该侧壁间隔物图案。
4.如权利要求2所述的方法,其中,该一个或多个搬送模块进一步包括位于该一个或多个搬送模块中的至少一个搬送模块的专用区内的工件测量区域,并且其中,该获得测量数据是在该工件在该多个加工模块之间的多次搬送中的至少一次搬送期间通过将该工件传递到该工件测量区域中来执行的。
5.如权利要求2所述的方法,其中,该公共生产平台包括一个或多个计量模块,并且其中,该获得测量数据是通过在该集成的加工步骤序列中的一个或多个加工步骤之间将该工件搬送到该计量模块中来执行的。
6.如权利要求2所述的方法,进一步包括:
使用托管在该公共生产平台上的智能系统、基于所获得的测量数据来控制在该公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列。
7.如权利要求1所述的方法,其中,形成该侧壁间隔物图案包括自对准双重图案化工艺、自对准三重图案化工艺、自对准四重图案化工艺、或自对准八重图案化工艺。
8.一种在半导体工件上加工材料的方法,该方法包括集成的加工步骤序列,该集成的加工步骤序列包括:
将工件接收到公共生产平台中,该工件具有形成在其上的心轴图案,该心轴图案包括多条心轴线;
使用托管在该公共生产平台上的第一成膜模块在该心轴图案上保形地施加第一薄膜;
在不破坏真空的情况下,使用托管在该公共生产平台上的第一刻蚀模块从该心轴图案的上表面和与该心轴图案相邻的下表面上去除该第一薄膜,以留下该心轴图案的侧壁上的第一薄膜,从而形成第一侧壁间隔物;以及
在不破坏真空的情况下,使用托管在该公共生产平台上的第二刻蚀模块从该工件上去除该心轴图案,以留下这些第一侧壁间隔物,从而形成包括多个特征的新特征图案,这些特征的数量是这些心轴线数量的两倍,
其中,该公共生产平台包括一个或多个搬送模块,该一个或多个搬送模块用于在不破坏真空的情况下在该第一成膜模块、该第一刻蚀模块和该第二刻蚀模块之间搬送该工件。
9.如权利要求8所述的方法,进一步包括:
在不破坏真空的情况下,获得与该工件的一个或多个属性相关的测量数据,并且基于该测量数据确定该一个或多个属性是否满足目标条件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980032362.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造