[发明专利]用于集成的端到端自对准多重图案化工艺的操作平台和方法

说明书

提供了一种用于使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法，该公共生产平台托管成膜模块、刻蚀模块和搬送模块。将其上形成有心轴图案的工件接收到公共生产平台中。至少部分地基于心轴图案形成侧壁间隔物图案，该侧壁间隔物图案具有分隔开第二间距距离的多个第二特征，其中，第一间距距离大于该第二间距距离。集成的加工步骤序列是在不离开受控环境的情况下在公共生产平台内执行的，并且搬送模块用于在使该工件维持在受控环境内的同时在加工模块之间搬送工件。广义上讲，是使用选择性/保形沉积、刻蚀或注入技术来在公共生产平台上形成侧壁间隔物图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月20日提交的名称为“Substrate Processing Tool withIntegrated Metrology and Method of Using[利用集成计量的衬底加工工具及其使用方法]”的美国临时申请号62/645,685、于2018年12月21日提交的名称为“Platform andMethod for Operating for Integrated End-to-End Self Aligned MultiplePatterning Process[用于集成的端到端自对准多重图案化工艺的操作平台和方法]”的美国临时申请号62/784,151、于2019年1月2日提交的名称为“Self-Aware and CorrectingHeterogeneous Platform incorporating Integrated Semiconductor ProcessingModules and Method for using same[结合有集成半导体加工模块的自感知校正异构平台及其使用方法]”的美国临时申请号62/787,607、于2019年1月2日提交的名称为“Self-Aware and Correcting Heterogeneous Platform incorporating IntegratedSemiconductor Processing Modules and Method for using same[结合有集成半导体加工模块的自感知校正异构平台及其使用方法]”的美国临时申请号62/787,608、以及于2019年1月4日提交的名称为“Substrate Processing Tool with Integrated Metrology andMethod of using[利用集成计量的衬底加工工具及其使用方法]”的美国临时申请号62/788,195的权益，这些申请通过援引以其全部内容并入本文。

背景技术

技术领域

本发明涉及一种加工平台以及使用该平台进行半导体加工的方法，并且更具体地涉及一种用于自对准多重图案化(SAMP)的方法。

相关技术的说明

SAMP技术已经用于鳍型场效应晶体管(FinFET)器件等部件的形成。尺寸缩减是在集成电路加工的发展中的驱动力之一。通过减小大小尺寸，可以获得成本效益和器件性能上的提高。这种可伸缩性在过程流程中、尤其是在图案化技术方面造成不可避免的复杂性。随着制造较小的晶体管，图案化特征的临界尺寸(CD)或分辨率变得越来越难以生产、特别是大批量生产。需要自对准图案化来替换套刻驱动(overlay-driven)的图案化，以便可以继续进行具有成本效益的缩放。在大批量制造环境中，需要能够减少不确定性、扩展缩放比例以及增强CD和过程控制的图案化选项；然而，以合理的低成本和高良品率生产缩放的器件已经变得极其困难。