[发明专利]切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下：

准备切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜包括基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层具有与所述基材层相向的第一面及其相反侧的第二面，所述胶黏剂层以覆盖所述压敏胶黏剂层的所述第二面的中央部的方式设置；

对所述切晶粘晶一体型膜的所述胶黏剂层粘贴晶片，并且对所述压敏胶黏剂层的所述第二面粘贴切晶环的工序；

将所述晶片单片化成面积为9mm²以下的多个芯片的工序；

将所述芯片连同将所述胶黏剂层单片化而成的胶黏剂片从所述压敏胶黏剂层一并拾取的工序；及

经由所述胶黏剂片将所述芯片安装于基板或者其他芯片上的工序，

所述压敏胶黏剂层具有与所述胶黏剂层中的贴附所述晶片的区域对应的第一区域及贴附所述切晶环的第二区域，

所述第一区域为通过活性能量线的照射而处于与所述第二区域相比胶接力下降的状态的区域，

在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的所述第一区域相对于所述胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在温度23℃下、剥离角度90°及剥离速度50mm/分钟的条件下所测定的所述第二区域相对于不锈钢基板的胶接力为0.2N/25mm以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述多个芯片具有正方形或长方形形状且具有3mm以下的边。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述压敏胶黏剂层的所述第一区域及第二区域在活性能量线的照射前由相同的组合物组成，

所述第一区域经过对成为该第一区域的区域照射10～1000mJ/cm²的量的活性能量线的工序而形成。

5.一种切晶粘晶一体型膜，其具备：

基材层；

压敏胶黏剂层，具有与所述基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；及

胶黏剂层，以覆盖所述第二面的中央部的方式设置，

所述压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，所述第一区域至少包含与所述胶黏剂层中的晶片贴附位置相对应的区域，所述第二区域以包围所述第一区域的方式配置，

所述第一区域为通过活性能量线的照射而处于与所述第二区域相比胶接力下降的状态的区域，

在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的所述第一区域相对于所述胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。

6.根据权利要求5所述的切晶粘晶一体型膜，其中，

在温度23℃下、剥离角度90°及剥离速度50mm/分钟的条件下所测定的所述第二区域相对于不锈钢基板的胶接力为0.2N/25mm以上。

7.根据权利要求5或6所述的切晶粘晶一体型膜，其应用于半导体装置制造工艺中，所述半导体装置制造工艺包括将晶片单片化成面积为9mm²以下的多个芯片的工序。

8.根据权利要求5或6所述的切晶粘晶一体型膜，其中，

所述第二区域含有具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂，

所述官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的至少一种，

所述第二区域中的所述官能团的含量为0.1mmol/g～1.2mmol/g。

9.根据权利要求5或6所述的切晶粘晶一体型膜，其中，

所述第二区域含有交联剂，

所述第二区域中的所述交联剂的含量为0.1～20质量％。

10.根据权利要求9所述的切晶粘晶一体型膜，其中，

所述交联剂为一分子中具有两个以上的异氰酸酯基的多官能异氰酸酯和一分子中具有三个以上的OH基的多元醇的反应产物。