[发明专利]切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法

说明书

本公开所涉及的切晶粘晶一体型膜包括：基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；该胶黏剂层以覆盖第二面的中央部的方式设置。压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，该第一区域至少包含与胶黏剂层中的晶片的贴附位置对应的区域，该第二区域以包围第一区域的方式配置。第一区域为通过活性能量线的照射而处于与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。

技术领域

本公开涉及一种切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及使用该膜的半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置经过以下的工序而制造。首先，在将切晶用压敏胶黏剂膜(pressure-sensitive adhesive film)贴附于晶片的状态下实施切晶工序。之后，实施扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序、安装(mounting)工序及粘晶(die bonding)工序等。

在半导体装置的制造工艺中，使用被称为切晶粘晶一体型膜的膜。该膜具有依次层叠有基材层、压敏胶黏剂(pressure-sensitive adhesive)层及胶黏剂(adhesive)层的结构，例如以如下方式使用。首先，在对晶片贴附胶黏剂层侧的面并且利用切晶环(dicingring)将晶片固定的状态下，对晶片进行切晶。由此，将晶片单片化成多个芯片(chip)。接着，通过对压敏胶黏剂层照射紫外线而减弱压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力(adhesive force)后，将芯片连同将胶黏剂层单片化而成的胶黏剂片从压敏胶黏剂层一并拾取。之后，经过经由胶黏剂片而将芯片安装于基板等的工序来制造半导体装置。另外，将由经过切晶工序而得到的芯片及附着于其的胶黏剂片组成的层叠体称为芯片粘附膜(DieAttach Film，DAF)。

将如上所述般通过紫外线的照射而胶接力变弱的压敏胶黏剂层(切晶膜)称为紫外线(ultraviolet，UV)固化型。相对于此，将在半导体装置的制造工艺中不照射紫外线而胶接力保持固定的压敏胶黏剂层称为感压型。具备感压型的压敏胶黏剂层的切晶粘晶一体型膜具有如下优点：无需由用户(主要为半导体装置制造商)实施照射紫外线的工序，而且不需要用于该工序的设备。专利文献1公开一种切晶粘晶膜，其从压敏胶黏剂层含有通过紫外线而固化的成分的方面考虑可称为UV固化型，另一方面，从仅对压敏胶黏剂层的规定部分预先照射紫外线，用户无需在半导体装置的制造工艺中照射紫外线的方面考虑还可称为感压型。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4443962号公报

发明内容

发明要解决的课题

切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层要求在切晶工序中对胶黏剂层及切晶的胶接力高。若压敏胶黏剂层的胶接力不充分，则产生：伴随切晶刀片的高速旋转而在胶黏剂层与压敏胶黏剂层之间产生剥离，芯片与胶黏剂片一起飞散的现象(以下将其称为“DAF飞散”。)；或者因切削水的水流而切晶环自压敏胶黏剂层剥离的现象(以下将该现象称为“环剥落”。)。本发明人等注意到，随着应通过切晶而制作的芯片的尺寸变小，这些现象变显著。关于这些现象变显著的主要因素，本发明人等推测原因在于：随着芯片的尺寸变小，与先前相比切晶需要更长时间，从而使切断中途的晶片及切断后的芯片长时间暴露于切晶刀片的冲击及切削水中。

因此，本发明人等专注于开发一种能够应用于将晶片切晶为多个小芯片(面积为9mm²以下)的工序中的切晶粘晶一体型膜，其具备通过对特定的部分预先照射规定量的活性能量线(例如紫外线)而该部分的胶接力与其他部分相比下降的压敏胶黏剂层，且满足以下特性。即，发明人等专注于开发一种切晶粘晶一体型膜，其中贴附切晶环的区域具有可耐受切晶工序中的切削水的水流的高胶接力，另一方面，预先照射有规定量的活性能量线的区域耐受由切晶刀片等造成的外力，而且具有适于之后的拾取的胶接力。