[发明专利]利用光束宽度调制的晶片点加热

说明书

本公开内容的实施方式提供一种热处理腔室，包含基板支撑件、设置于基板支撑件的上方或下方的第一多个加热元件、及设置于基板支撑件上的点加热模块。点加热模块被用于在处理期间提供设置于基板支撑件上的基板上的区域的局部加热。基板的局部加热改变了温度分布，这进而可用于改善沉积均匀性。由点加热模块所产生的光束点的形状可被修改，而无需改变点加热模块的光学元件。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及用于半导体基板处理的设备及方法，更特定地，涉及适用于半导体基板处理的使用点加热模块的热处理腔室。

背景技术

针对各种各样的应用来处理半导体基板，这些应用包含集成电路器件及微器件的制造。在一个类别的处理中，基板通常位于处理腔室内的基座上。基座由支撑轴支撑，支撑轴可绕中央轴旋转，以旋转耦接在该支撑轴的一个末端处的基座。精确控制加热源(例如，设置在基板下方及上方的多个加热灯)允许基板在基板处理期间被加热。

基板的温度及处理期间基板温度的均匀性可影响沉积在基板上的材料的厚度均匀性。基板温度的非均匀性可为轴向对称的或轴向非对称的。当基座在处理期间旋转时，通过对加热源进行分区控制，可减低基板温度的轴向对称非均匀性。基板温度的轴向非对称非均匀性(例如，由基座或支撑轴(例如，升降销)的结构非均匀性造成的轴向非对称非均匀性)不能通过对加热源的分区控制来补偿，因为非均匀性的来源与基座及基板一起旋转。

尽管使用加热源的精确控制以加热基板，然而在许多现有设备中所执行的沉积处理的结果中仍观察到非均匀性。因此，需要一些方法来管理并减低热半导体处理腔室中的轴向非对称的温度非均匀性。

发明内容

本公开内容的实施方式涉及用于半导体基板处理的设备及方法，更特定地，涉及适用于半导体基板处理的热处理腔室。在一个实施方式中，处理腔室包含：外壳；基板支撑件，该基板支撑件设置于该外壳内；能量模块，该能量模块设置于该外壳外部，面向该基板支撑件；支撑件，该支撑件设置于该外壳外部；及点加热模块，该点加热模块设置于该支撑件上。该点加热模块包含：保持器；及移动装置，该移动装置耦接至该保持器。

在另一实施方式中，处理腔室包含：外壳；基板支撑件，该基板支撑件设置于该外壳内；能量模块，该能量模块设置于该外壳外部，面向该基板支撑件；及点加热模块，该点加热模块设置于该外壳外部。该点加热模块包含：多个保持器；及多个移动装置，其中该多个移动装置的每个移动装置耦接至该多个保持器的对应的保持器。

在另一实施方式中，处理腔室包含：外壳；基板支撑件，该基板支撑件设置于该外壳内；能量模块，该能量模块设置于该外壳外部，面向该基板支撑件；及点加热模块，该点加热模块设置于该支撑件上。该点加热模块包含：台座；保持器，该保持器设置于该台座上；准直器，该准直器设置于该保持器上；及移动装置，其中该移动装置设置于该保持器及该准直器之间。

附图说明

作为可以详细理解本公开内容上述特征的方式，可通过参考实施方式来获得本公开内容的简短总结于上文的更特定描述，实施方式中的一些图示于附图中。然而，应注意，附图仅图示本公开内容典型的实施方式，因此不应视为对范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。

图1为根据一个实施方式的处理腔室的示意横截面侧视图。

图2为根据另一实施方式的处理腔室的示意横截面侧视图。

图3为根据一个实施方式的点加热器的示意侧视图。

图4A至4B为根据一个实施方式的点加热模块的示意俯视图。

图5A至5C为通过一个或多个图3的点加热器形成的光束点的示意视图。

图6A至6B为根据一个实施方式的相对于基板移动具有不同定向的光束点的示意视图。

图7为根据另一实施方式的处理腔室的示意横截面侧视图。