[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于氮化硅的蚀刻组成物，包含：

60重量％至99.99重量％的磷酸化合物；

水；以及

0.1ppm至25重量％的由式1表示的硅烷化合物及其反应产物中的至少一者：

[式1]

其中在式1中，

L₁至L₆各自独立地选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R₁₁)-*'、*-C(＝O)O-*'、亚磺酰基、亚磷酰基、亚膦酰基、亚唑基、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)-N(R₁₁)-*'、*-C(＝O)-O-C(＝O)-*'、C₁至C₁₀亚烷基、C₂至C₁₀亚烯基、C₂至C₁₀亚炔基、C₃至C₁₀亚环烷基、C₁至C₁₀亚杂环烷基、C₃至C₁₀亚环烯基、C₁至C₁₀亚杂环烯基、C₆至C₂₀亚芳基及C₁至C₂₀亚杂芳基；

L₇选自C₁至C₁₀亚烷基及C₆至C₂₀亚芳基；

a1至a6各自独立地选自0至10的整数；

a7选自1至10的整数，

R₁至R₆各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R₁₂)、*-C(＝O)-N(R₁₂)(R₁₃)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R₁₂)、C₁至C₁₀烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基、C₁烷氧基、C₃至C₁₀环烷基、C₁至C₁₀杂环烷基、C₃至C₁₀环烯基、C₁至C₁₀杂环烯基、C₆至C₂₀芳基及C₁至C₂₀杂芳基，条件是R₁至R₆中的至少二者选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R₁₂)、*-C(＝O)-N(R₁₂)(R₁₃)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R₁₂)及C₁烷氧基；

R₁₁至R₁₃各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、C₁至C₁₀烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基、C₁至C₁₀烷氧基、C₃至C₁₀环烷基、C₁至C₁₀杂环烷基、C₃至C₁₀环烯基、C₁至C₁₀杂环烯基、C₆至C₂₀芳基及C₁至C₂₀杂芳基；

n选自1至10的整数；且

*及*'中的每一者是与相邻原子的连接位点。

2.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述磷酸化合物为磷酸或其盐、亚磷酸或其盐、次磷酸或其盐、连二磷酸或其盐、三聚磷酸或其盐、焦磷酸或其盐、或其组合。