[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法

说明书

揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。

技术领域

本发明涉及一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法。

背景技术

例如氧化硅层或氮化硅层等无机薄层被用于各种半导体器件或太阳能电池中。通常通过使用气体的干式蚀刻及使用蚀刻溶液的湿式蚀刻来蚀刻此种氧化硅层或氮化硅层。湿式蚀刻相较于干式蚀刻具有成本更低且生产率更高的优点。

一般而言，磷酸与水的混合物已被用作氮化硅层的蚀刻溶液。然而，使用所述混合物的蚀刻不仅可导致氮化硅层被蚀刻而且还可导致氧化硅层被蚀刻。

正在积极地进行对与磷酸一起使用的添加剂的各种研究以解决此类问题。

发明内容

技术问题

本发明的实施例提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物相较于氧化硅层对氮化硅层具有高蚀刻选择率。

解决方案

本发明的一个实施例提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及由式1表示的硅烷化合物及其反应产物中的至少一者：

[式1]

其中在式1中，

L₁至L₆各自独立地选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R₁₁)-*'、*-C(＝O)O-*'、亚磺酰基、亚磷酰基、亚膦酰基、亚唑基、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)-N(R₁₁)-*'、*-C(＝O)-O-C(＝O)-*'、C₁至C₁₀亚烷基、C₂至C₁₀亚烯基、C₂至C₁₀亚炔基、C₃至C₁₀亚环烷基、C₁至C₁₀亚杂环烷基、C₃至C₁₀亚环烯基、C₁至C₁₀亚杂环烯基、C₆至C₂₀亚芳基及C₁至C₂₀亚杂芳基；

L₇选自C₁至C₁₀亚烷基及C₆至C₂₀亚芳基；

a1至a6各自独立地选自0至10的整数；

a7选自1至10的整数；