[发明专利]气化器

说明书

提供在不使用喷雾器的方法中抑制突沸且气化空间的压力变动非常少的气化器。气化器(1)由容器主体(10)、设置于气化器(1)内并被加热的多孔质构件(30)、向多孔质构件(30)供给液体原料(L)的导入管(40)以及将气化的原料气体(G)排出到外部的气体排出路径(7)构成。导入管(40)的出口(41)与多孔质构件(30)接触或接近地配置。出口(41)与多孔质构件(30)接近地配置的情况下的从所述出口(41)到多孔质构件(30)的分离距离(H)在不超过从所述出口(41)到由于表面张力而从所述出口(41)成为液滴并垂下的液体原料(L)的下端的大小的范围内。

技术领域

本发明涉及不使用用于在气化之前使液体原料雾化的喷雾用载气的气化器，更详细而言，涉及通过使将液体原料向气化器导入的导入管(毛细管)接触或接近多孔质构件(烧结过滤器)，气化过程中的压力变动极小的气化器。

背景技术

在半导体器件的制造工序中有制膜工序、蚀刻工序及扩散工序等，在这些工序中，大多使用气体作为原料。然而，近年来，大多使用液体原料代替原料气体。

该液体原料由气化器转换为气体并供给到反应工序。在原料为气体的情况下，由于利用质量流量控制器进行流量控制，所以流量的稳定性良好。

另一方面，在液体原料的情况下，将进行了流量控制的液体原料导入气化器，在气化器内部利用喷雾气体使其雾化后，通过加热使其气化，但与原料为气体的情况相比，压力变动较大。为了稳定地制作均匀的膜，需要尽可能抑制这种压力变动。

在这种半导体成膜工序中，在最新的半导体成膜工序中，不使用载气的情况增加。在这种不使用喷雾气体或载气的气化工序中，由于后述的理由，与使用喷雾气体或载气的情况相比，压力变动显著地变大。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利3650543号公报

专利文献2：日本专利4601535号公报

发明内容

发明要解决的课题

为了使液体原料高效且稳定地气化，采用了如上所述利用喷雾器将液体原料喷雾并导入气化室内的方法。由此，进行稳定的气化且抑制气化室内部的压力变动。

但是，在不使用喷雾器的最新的方法中，液体原料从较细的导入管滴下，在大粒的液滴的状态下导入气化室。被导入的液滴依次与被加热的气化室的内壁接触并瞬间气化。因此，在气化室的内壁不断产生突沸，气化器的内部压力(气化室的内压)大幅变动。该变动导致向成膜装置供给的原料气体的不均匀并显现。这对成膜装置是致命的，妨碍均匀的成膜。这成为不使用喷雾器的情况下的气化工序中的较大的问题。

本发明鉴于该以往的问题点而作出，其课题在于，提供在不使用喷雾器的方法中抑制液体原料与加热面接触时产生的突沸而气化器内部的压力变动非常少的气化器。

用于解决课题的手段

技术方案1记载的发明为一种气化器1，由容器主体10、多孔质构件30、导入管40及气体排出路径7构成，

所述容器主体10在内部具有气化空间5，

所述多孔质构件30设置在所述气化空间5内并被加热，

所述导入管40从外部插通到气化空间5，并向多孔质构件30供给液体原料L，

所述气体排出路径7将通过多孔质构件30气化而生成的原料气体G从气化空间5排出到外部，其特征在于，

所述导入管40的出口41与多孔质构件30接触地配置，

在所述导入管40的出口41的附近的侧面贯穿设置有微小贯通孔45。