[发明专利]激光器芯片设计

权利要求书

1.一种激光器芯片，包括：

第一横向部分，包括：

第一金属条，

耦合到所述第一金属条的第一横向连接器，

第二金属条，和

耦合到所述第二金属条的第二横向连接器；以及

第二横向部分，耦合到所述第一横向部分并且包括：

耦合到所述第一横向连接器的第一焊垫，和

耦合到所述第二横向连接器的第二焊垫。

2.根据权利要求1所述的激光器芯片，其中，所述第一金属条和所述第二金属条是纵向对齐的。

3.根据权利要求1至2中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第一焊垫和所述第二焊垫是横向对齐的。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第一横向连接器比所述第二横向连接器更宽。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第一金属条、所述第一横向连接器和所述第一焊垫垂直延伸至所述激光器芯片的顶部。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第二焊垫垂直延伸至所述激光器芯片的顶部。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第二金属条和所述第二横向连接器未垂直延伸至所述顶部。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第一横向部分还包括：

耦合到所述第一金属条的第一波导；和

耦合到所述第二金属条的第二波导。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第一波导和所述第二波导是脊波导。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第一波导和所述第二波导是隐埋式异质结构波导。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的激光器芯片，其中，所述第一波导包括第一光栅相位，其中所述第二波导包括第二光栅相位，并且其中，所述第二光栅相位相对于所述第一光栅相位偏移大约180°。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的激光器芯片，还包括：

作为工作波导的第一波导；和

作为非工作波导的第二波导。

13.一种分布式反馈DFB激光器芯片的制造方法，所述方法包括：

沉积钝化层的第一部分；

沉积第二金属条；

沉积所述钝化层的第二部分；以及

沉积第一金属条。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

使用等离子体增强化学气相沉积PECVD进一步沉积所述第一部分；以及

使用PECVD进一步沉积所述第二部分。

15.根据权利要求13至14中的任一项所述的方法，还包括：

针对所述第二金属条执行第一光刻；以及

针对所述第一金属条执行第二光刻。

16.根据权利要求13至15中的任一项所述的方法，其中，所述第二金属条未垂直延伸至所述DFB激光器芯片的顶部。

17.根据权利要求13至16中的任一项所述的方法，其中，所述第一金属条垂直延伸至所述顶部。