[发明专利]电子控制装置以及电子控制装置的制造方法在审
申请号: | 201980037117.8 | 申请日: | 2019-08-08 |
公开(公告)号: | CN112689889A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 金子裕二朗 | 申请(专利权)人: | 日立汽车系统株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C45/26;H01L25/04;H01L25/18;H01R12/71 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 控制 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种电子控制装置,其特征在于,具备:
控制基板,其用于安装电子部件;以及
框体,其用树脂密封所述控制基板,
所述框体为所述控制基板的一表面侧的树脂体积比另一表面侧的树脂体积大的形状,
所述框体形成有浇口痕,
所述浇口痕的所述控制基板的厚度方向上的长度形成为比所述控制基板的厚度大,
所述控制基板以侧面的一部分重叠的方式位于所述浇口痕的投影区域,
所述控制基板相比所述浇口痕的中央更靠所述另一表面侧地配置。
2.一种电子控制装置,其特征在于,具备:
控制基板,其用于安装电子部件;以及
框体,其用树脂密封所述控制基板,
所述框体为所述控制基板的一表面侧的树脂体积比另一表面侧的树脂体积大的形状,
所述框体具有形成于所述控制基板的所述一表面侧的第1浇口痕和形成于所述控制基板的所述另一表面侧的第2浇口痕,
所述第1浇口痕比所述第2浇口痕大。
3.根据权利要求1所述的电子控制装置,其特征在于,
所述浇口痕中的相比所述控制基板靠所述一表面侧的面积与所述浇口痕中的相比所述控制基板靠所述另一表面侧的面积的面积比、和所述框体中的相比所述控制基板靠所述一表面侧的体积与所述框体中的相比所述控制基板靠所述另一表面侧的体积的体积比形成为大致相等。
4.根据权利要求2所述的电子控制装置,其特征在于,
所述框体的所述控制基板的所述一表面侧的体积与所述框体的所述控制基板的所述另一表面侧的体积的体积比、和所述第1浇口的面积与所述第2浇口的面积的面积比形成为大致相等。
5.根据权利要求4所述的电子控制装置,其特征在于,
所述第1浇口痕的所述控制基板的厚度方向上的长度比所述第2浇口痕的所述控制基板的厚度方向上的长度大,
所述第1浇口痕的所述控制基板的表面方向上的长度与所述第2浇口痕的所述控制基板的表面方向上的长度大致相等。
6.根据权利要求3至5中的任意一项所述的电子控制装置,其特征在于,
具备连接器,其具有与所述控制基板电连接的端子,安装于所述控制基板的一表面侧,
所述浇口痕形成于所述框体中的与形成所述连接器一侧相反一侧的侧面。
7.根据权利要求6所述的电子控制装置,其特征在于,
所述树脂的线膨胀系数为10~30×10-6/℃,热导率为0.5~3.0W/mK。
8.一种电子控制装置的制造方法,将控制基板配置于模具,将树脂注入至该模具而对该控制基板进行密封,该电子控制装置的制造方法的特征在于,
所述框体为一表面侧的体积比另一表面侧大的形状,
具备相对于所述控制基板而射出的树脂分支至该控制基板的所述一表面侧和所述另一表面侧的树脂流路,
所述分支后的树脂流路的截面面积形成为所述控制基板的所述一表面侧的一方比所述另一表面侧的一方大。
9.根据权利要求8所述的电子控制装置的制造方法,其特征在于,
所述框体的一表面侧与另一表面侧的体积比与到达至此处的树脂流路的截面面积比形成为大致相等。
10.根据权利要求9所述的电子控制装置的制造方法,其特征在于,
用可动销支承所述控制基板的厚度方向的两面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立汽车系统株式会社,未经日立汽车系统株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980037117.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造