[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980037471.0 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112243534A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 久保佑介;博洛托夫·谢尔盖 | 申请（专利权）人： | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/00;H05K7/20;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体元件，其形成于基板上；
导电性的冷却部件，其设置于所述半导体元件的上部；以及
导电性导热部件，其设置于所述半导体装置与所述冷却部件之间，并含有树脂的固化物，
所述导电性导热部件连接于所述基板中的接地端，并且将所述冷却部件与所述接地端电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性导热部件以覆盖所述半导体元件的方式设置，并且与所述半导体元件的上表面和侧面中的至少一部分抵接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性导热部件封装所述半导体元件的上表面和侧面。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性导热片的电阻率为0.15Ω·m以下。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性导热片的电阻率为0.00001Ω·m以上。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性导热片具有磁性。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性导热片在表面具有粘合性或者粘接性。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性导热片具有柔软性。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述电磁波吸收导热片含有导电性的填充剂。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述导电性的填充剂为碳纤维。
11.根据权利要求1～9中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述基板中的所述接地端以外的部分被进行了绝缘处理。
12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是权利要求1～11中的任一项所述的半导体装置的制造方法，包括：
通过使含有树脂的固化物的片状的导电性导热部件压接于半导体元件上，来将所述半导体元件与所述导电性导热部件接合，并且将所述导电性导热部件与接地端接合的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迪睿合电子材料有限公司，未经迪睿合电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980037471.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
