[发明专利]清洁方法

权利要求书

1.一种清洁方法，是微波等离子体处理装置的清洁方法，所述微波等离子体处理装置具有处理容器和微波辐射部，在所述处理容器的配置所述微波辐射部的位置形成有窗部，

所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，一边供给清洁气体，一边调整为与包括所述处理容器的壁面、所述微波辐射部以及所述窗部的所述处理容器内的配件中的作为清洁对象的配件的尺寸对应的压力，并通过清洁气体的等离子体来进行清洁。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述清洁工序包括：

第一工序，调整为与所述清洁对象中的第一配件的尺寸对应的第一压力来进行清洁；以及

第二工序，调整为与所述第一压力不同的第二压力来进行清洁，所述第二压力是与所述清洁对象中的不同于所述第一配件的第二配件的尺寸对应的压力。

3.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，

按照所述第一工序、所述第二工序的顺序进行清洁，

所述第二压力低于所述第一压力。

4.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，

所述第一工序的清洁时间比所述第二工序的清洁时间长。

5.根据权利要求2～4中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

将所述第一工序和所述第二工序重复预先决定的次数。

6.根据权利要求2～5中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

所述清洁工序包括第三工序，在该第三工序中，调整为与所述第一压力及所述第二压力不同的第三压力来进行清洁，所述第三压力是与所述清洁对象中的不同于所述第一配件及所述第二配件的第三配件的尺寸对应的压力。

7.根据权利要求6所述的清洁方法，其特征在于，

按照所述第一工序、所述第二工序、所述第三工序的顺序进行清洁，

所述第三压力低于所述第二压力，所述第二压力低于所述第一压力。

8.根据权利要求6或7所述的清洁方法，其特征在于，

所述第三工序的清洁时间比所述第一工序的清洁时间长，

所述第一工序的清洁时间比所述第二工序的清洁时间长。

9.根据权利要求6～8中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

将所述第一工序、所述第二工序以及所述第三工序重复预先决定的次数。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

将与所述作为清洁对象的配件对应的压力调整为同与所述配件的尺寸对应的等离子体的扩散距离相应的压力。

11.根据权利要求10中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

与所述作为清洁对象的配件对应的压力在10Pa～100Pa的范围内。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

在所述清洁工序之后形成预涂膜。

13.根据权利要求1～12中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，

所述处理容器内的配件包括处于所述窗部内且在比所述微波辐射部更靠外侧的位置圆环状地配置的多个气体孔。