[发明专利]清洁方法在审

申请号：	201980037752.6	申请日：	2019-05-30
公开（公告）号：	CN112272862A	公开（公告）日：	2021-01-26
发明（设计）人：	伊藤聪;野上隆文;横仓瑛太;松本玲佐	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/31	分类号：	H01L21/31;C23C16/44;C23C16/511;H01L21/3065;H05H1/46
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	清洁方法
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【说明书】：

一种微波等离子体处理装置的清洁方法，该微波等离子体处理装置具有处理容器和微波辐射部，且在所述处理容器的配置所述微波辐射部的位置形成有窗部，该清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，一边供给清洁气体，一边调整为与包括所述处理容器的壁面、所述微波辐射部以及所述窗部的所述处理容器内的配件中的作为清洁对象的配件的尺寸对应的压力，并通过清洁气体的等离子体来进行清洁。

技术领域

本公开涉及一种清洁方法。

背景技术

专利文献1提出了一种清洁方法，该清洁方法包括：第一工序，向处理容器内供给清洁气体并且产生等离子体，来将处理容器内维持在第一压力并进行清洁；以及第二工序，维持比第一压力高的第二压力来进行清洁。

专利文献2提出一种清洁方法，该清洁方法包括：步骤1，对处理室的内部和收容于处理室的内部的构件进行清洁；步骤2，对处理室的内部和构件各自的下部进行清洁；以及步骤3，对气体供给路径的内部进行清洁。将压力设定为第一压力区间，将温度设定为第一温度区间，并从气体供给路径供给清洁气体来进行步骤1。一边将压力设定为比第一压力区间高的第二压力区间并使温度上升到比第一温度区间高的第二温度区间，一边从气体供给路径供给清洁气体来进行步骤2。一边将压力设定为比第二压力区间低的第三压力区间并将温度维持在第二温度区间，一边从气体供给路径供给清洁气体来进行步骤3。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-211099号公报

专利文献2：日本特开2014-216539号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够有效地进行清洁的技术。

用于解决问题的方案

根据本公开的一个方式，提供一种微波等离子体处理装置的清洁方法，该微波等离子体处理装置具有处理容器和微波辐射部，在所述处理容器的配置所述微波辐射部的位置形成有窗部，所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，一边供给清洁气体，一边调整为与包括所述处理容器的壁面、所述微波辐射部以及所述窗部的所述处理容器内的配件中的作为清洁对象的配件的尺寸对应的压力，并通过清洁气体的等离子体来进行清洁。

发明的效果

根据一个方面，能够有效地进行清洁。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的微波等离子体处理装置的一例的图。

图2是示出一个实施方式所涉及的微波等离子体处理装置的顶面的一例的图。

图3是示意性地示出一个实施方式所涉及的微波辐射部和窗部周边的图。

图4是示出一个实施方式所涉及的压力与等离子体的扩散距离的相关曲线图的一例的图。

图5是示出一个实施方式所涉及的清洁处理的一例的流程图。

图6是示出一个实施方式所涉及的清洁处理的结果的一例的图。

图7是示出一个实施方式的变形例所涉及的清洁处理的一例的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明用于实施本公开的方式。此外，在本说明书和附图中，通过对于实质相同的结构标注相同的附图标记来省略重复的说明。