[发明专利]用于制造器件的方法在审
申请号: | 201980038368.8 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN112236880A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 金勇男;金钟硕;咸允慧;金世龙 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;冷永华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 器件 方法 | ||
1.一种用于制造器件的方法,所述方法包括:
制备包括第一缓冲层和第二缓冲层的第一层合体;
制备包括设置在碳电极上的第三缓冲层的第二层合体;以及
将所述第一层合体附接至所述第二层合体使得所述第二缓冲层接触所述第三缓冲层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一层合体包括:
第一电极;
设置在所述第一电极上的第一缓冲层;
设置在所述第一缓冲层上的激子产生层;和
设置在所述激子产生层上的第二缓冲层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二缓冲层和所述第三缓冲层呈半固化状态。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二层合体的制备包括:
制备碳电极;
将用于形成第三缓冲层的组合物施加到所述碳电极上;以及
使所述组合物半固化。
5.根据权利要求4所述的方法,其中用于形成第三缓冲层的所述组合物的半固化包括使所述组合物光固化或热固化。
6.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第一层合体附接至所述第二层合体使得所述第二缓冲层接触所述第三缓冲层包括在所述附接期间或之后进行固化。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述碳电极包括碳纳米管(CNT)、石墨、石墨烯、氧化石墨烯、活性炭、介孔碳、碳纤维、导电炭黑和碳纳米线中的一者或更多者。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述碳电极还包含粘结剂。
9.根据权利要求2所述的方法,其中所述激子产生层为光吸收层。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述光吸收层包含具有钙钛矿结构的化合物。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一缓冲层由单层或多层构成。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述器件选自有机-无机杂化太阳能电池、有机太阳能电池、有机发光二极管(OLED)和有机光电二极管。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一缓冲层包含选自基于Cu的无机材料、金属氧化物和富勒烯衍生物中的一者或更多者。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二缓冲层和所述第三缓冲层各自包含选自无机材料、有机化合物和聚合物中的一者或更多者。
15.一种器件,通过根据权利要求1至14中任一项所述的制造方法制造。
16.根据权利要求15所述的器件,其中所述器件包括:
第一电极;
设置在所述第一电极上的第一缓冲层;
设置在所述第一缓冲层上的激子产生层;
设置在所述激子产生层上的第二缓冲层;
设置在所述第二缓冲层上的第三缓冲层;和
设置在所述第三缓冲层上的碳电极。
17.根据权利要求15所述的器件,其中所述器件包括:
第一电极;
设置在所述第一电极上的第一缓冲层;
设置在所述第一缓冲层上的激子产生层;
设置在所述激子产生层上的第四缓冲层;和
设置在所述第四缓冲层上的碳电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择