[发明专利]切晶粘晶一体型膜及其使用的压敏胶黏剂膜

说明书

本发明的一方面所涉及的切晶粘晶一体型膜具有至少依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层的结构，且上述压敏胶黏剂层含有光聚合成分、及光聚合引发剂(D)。上述光聚合成分包含源自聚合物(A)、具有羟基的能量固化性压敏黏合成分(B)、及热交联剂(C)的结构单元，所述聚合物(A)具有含季铵盐的基团与羟基，且该结构单元为聚合物(A)与压敏黏合成分(B)经由热交联剂(C)连结的结构单元、以及压敏黏合成分(B)彼此经由热交联剂(C)连结的结构单元中的至少一者。

技术领域

本发明涉及一种切晶粘晶一体型膜及其使用的压敏胶黏剂膜(pressure-sensitive adhesive film)。

背景技术

半导体装置经过以下的工序而制造。首先，在晶圆(wafer)贴附切晶用压敏胶黏剂膜的状态下实施切晶工序。之后，实施扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序、安装(mounting)工序及粘晶(diebonding)工序等。

在半导体装置的制造工艺中，使用被称为切晶粘晶一体型膜的膜。该膜具有依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂(adhesive)层的结构，例如，如以下使用。首先，对晶圆贴附胶黏剂层侧的面并且在利用切晶环(dicingring)将晶圆固定的状态下对晶圆进行切晶。由此，晶圆被单片化为大量芯片(chip)。接着，通过对压敏胶黏剂层照射紫外线而减弱压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力(adhesive force)后，将芯片连同胶黏剂层单片化而成的胶黏剂片从压敏胶黏剂层一并拾取。之后，经过经由胶黏剂片将芯片安装于基板等的工序而制造半导体装置。另外，将包含经过切晶工序而获得的芯片与附着于该芯片的胶黏剂片的层叠体称为晶粒黏附膜(DieAttachFilm，DAF)。

如上所述，通过照射紫外线而胶接力减弱的压敏胶黏剂层(切晶膜)被称为紫外线(ultraviolet，UV)固化型。相对于此，在半导体装置的制造工艺中不照射紫外线而胶接力保持恒定的压敏胶黏剂层被称为压敏型。

可是，对半导体装置的制造工艺中所使用的膜要求抗静电性。专利文献1中公开有：一种半导体加工用片，具备通过照射能量线而使压敏胶黏剂组合物固化而成的压敏胶黏剂层，所述压敏胶黏剂组合物含有具有季铵盐(抗静电剂)及能量线固化性基的聚合物、以及能量线固化性压敏黏合成分(所述聚合物除外)。根据该半导体加工用片，能够发挥优异的抗静电性且能够抑制剥离时的被粘附体(晶圆或芯片)的污染(参考专利文献1的[0020]段)。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2015-115385号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

专利文献1中记载的半导体加工用片并未设想应用于切晶粘晶一体型膜中。即，该半导体加工用片是作为背面研磨片(半导体晶圆表面保护片)、切晶片或用于转移拾取后的芯片的片而使用(参考专利文献1的[0101]段)。即，该半导体加工用片的压敏胶黏剂层是将半导体晶圆或半导体芯片作为被粘附体的。相对于此，切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层是将胶黏剂层作为被粘附体的。以彼此相接的方式配置的压敏胶黏剂层及胶黏剂层均包含树脂成分，因此存在在这些层的界面中低分子量成分的渗出(bleedout)量变多的倾向。由此，胶黏剂层与压敏胶黏剂层之间的剥离强度随着时间经过而上升，结果，容易产生拾取错误。对切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层要求如下特性：抑制因压敏胶黏剂层中所含有的成分的渗出而引起的剥离性的降低。