[发明专利]偏移图案以减少线波动在审
申请号: | 201980039094.4 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN112272797A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·R·约翰逊;克里斯多弗·丹尼斯·本彻;托马斯·L·莱蒂格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏移 图案 减少 波动 | ||
1.一种方法,包括:
将具有多个曝光多边形的掩模图案数据提供给数字光刻系统的处理单元,所述处理单元具有:
多个图像投射系统,所述多个图像投射系统接收所述掩模图案数据,每个图像投射系统对应于基板的多个部分的一部分并接收对应于所述部分的曝光多边形数据集;及
在所述多个图像投射系统下扫描所述基板,且在偏移所述掩模图案数据时将多个发射投射到所述多个部分,所述多个发射的每个发射在对应于所述部分的所述曝光多边形内,偏移所述掩模图案数据包含以一偏移频率将所述掩模图案数据偏移到最大偏移和最小偏移之间的位置。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述最小偏移的绝对值和所述最大偏移的绝对值相等。
3.如权利要求1和2中的一项所述的方法,其中所述最小偏移和最大偏移是聚合的发射间距的百分比。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述聚合的发射间距是聚合的发射图案的相邻潜在发射之间的距离。
5.如权利要求4所述的方法,其中每个图像投射系统的空间光调制器的多个空间光调制器像素以所述聚合的发射图案布置。
6.如权利要求5所述的方法,其中每个空间光调制器像素对应于所述聚合的发射图案的一潜在发射,且其中一发射在设置于所述基板上的光刻胶上形成一像素。
7.如权利要求1至6中的一项所述的方法,其中在所述多个图像投射系统下扫描所述基板,且在偏移所述掩模图案数据时将所述多个发射投射到所述多个部分,直到在所述光刻胶上形成预定数量的掩模图案像素。
8.如权利要求1至7中的一项所述的方法,其中所述多个图像投射系统被配置为沿着具有原点的偏移轴偏移所述掩模图案数据。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述位置由随机数发生器相对于所述原点的位置而选择。
10.如权利要求1至9中的一项所述的方法,其中所述偏移频率小于约80微秒(μs)。
11.一种方法,包括:
将具有多个曝光多边形的掩模图案数据提供给数字光刻系统的处理单元,所述处理单元具有:
多个图像投射系统,所述多个图像投射系统接收所述掩模图案数据,每个图像投射系统对应于基板的多个部分的一部分并接收对应于所述部分的曝光多边形数据集;及
每个图像投射系统的空间光调制器的多个空间光调制器像素,所述多个空间光调制器像素以聚合的发射图案排列,其中每个空间光调制器像素对应于所述聚合的发射图案的一潜在发射;
在所述多个图像投射系统下扫描所述基板;及
在偏移所述掩模图案数据时将多个发射投射到所述多个部分,所述多个发射的每个发射在对应于所述部分的所述曝光多边形内,偏移所述掩模图案数据包含:
以一偏移频率将所述掩模图案数据偏移到由随机数发生器所选择的在最大偏移和最小偏移之间的位置,所述最大偏移和所述最小偏移是所述聚合的发射图案的相邻潜在发射之间的距离的百分比。
12.如权利要求11的一项所述的方法,其中所述数字光刻系统的控制器将所述掩模图案数据提供给所述处理单元。
13.如权利要求11和12中的一项所述的方法,其中所述偏移频率小于约80微秒(μs)。
14.如权利要求11至13中的一项所述的方法,其中所述多个图像投射系统被配置为沿着具有原点的偏移轴偏移所述掩模图案数据,且其中所述位置由随机数发生器相对于所述原点的位置而选择。
15.一种方法,包括:
将具有多个曝光多边形的掩模图案数据提供给数字光刻系统的处理单元,所述处理单元具有:
多个图像投射系统,所述多个图像投射系统接收所述掩模图案数据,每个图像投射系统对应于基板的多个部分的一部分并接收对应于所述部分的曝光多边形数据集;及
每个图像投射系统的空间光调制器的多个空间光调制器像素,所述多个空间光调制器像素以聚合的发射图案排列,其中每个空间光调制器像素对应于所述聚合的发射图案的一潜在发射;
在所述多个图像投射系统下扫描所述基板;及
在偏移所述掩模图案数据时将多个发射投射到所述多个部分,直到在所述基板上的光刻胶上形成预定数量的掩模图案像素,所述多个发射的每个发射在对应于所述部分的所述曝光多边形内,偏移所述掩模图案数据包含:
以一偏移频率将所述掩模图案数据偏移到由随机数发生器所选择的在最大偏移和最小偏移之间的位置,所述最大偏移和所述最小偏移是所述聚合的发射图案的相邻潜在发射之间的距离的百分比,且所述多个图像投射系统被配置为沿着具有原点的偏移轴偏移所述掩模图案数据,其中所述位置由随机数发生器相对于所述原点的位置而选择。
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