[发明专利]线圈装置及其制造方法

权利要求书

1.一种线圈装置，其特征在于，包括：

基材；

晶种图案，形成于上述基材上，包括晶种区域以及进线导线区域；

第1导电图案，形成于上述晶种区域上；

第2导电图案，形成于上述第1导电图案的至少一部分；以及，

保护层，以与上述基材、晶种图案、第1导电图案以及第2导电图案中的至少一个以上接触的方式形成；

其中，上述进线导线区域的晶种图案延长至切割线。

2.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：

上述晶种图案以0.1μm～5μm的厚度形成。

3.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：

上述第1导电图案的厚度(h1)与宽度(a)的比例为1:1至5:1。

4.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：

上述第2导电图案的宽度(b)是相邻的第2导电图案之间的间隔(s)的1至50倍。

5.根据权利要求1或权利要求4所述的线圈装置，其特征在于：

上述第2导电图案的厚度(h2)是相邻的第2导电图案之间的间隔(s)的1.01至50倍。

6.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：

上述第1或第2导电图案，包括沿着第n边形成或以被连接上述第n边以及第n-1边的转角区域围绕的方式形成的第n图案。

7.根据权利要求1所述的线圈装置，其特征在于：

上述保护层，包括：第1保护层，形成于进线导线区域；以及，第2保护层，以与上述基材、晶种图案、第1导电图案、第2导电图案以及第1保护层中的至少一个以上接触的方式形成于进线导线区域或晶种区域。

8.根据权利要求1或权利要求7所述的线圈装置，其特征在于：

上述第1保护层配置在上述第1导电图案中配置在最外侧的图案的外侧。

9.一种包括根据权利要求1所述的线圈装置的电子装置。

10.一种线圈装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供形成有晶种层的基材；

在上述晶种层上形成第1导电图案以及保护层；

移除通过上述第1导电图案以及上述保护层裸露的上述晶种层，从而形成晶种图案；以及，

在上述第1导电图案的至少一部分形成第2导电图案。

11.根据权利要求10所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：

形成上述第1导电图案以及上述保护层时，

在上述晶种层上形成包括多个部分图案的第1导电图案以及虚拟图案，上述多个部分图案包括配置在上述多个部分图案中的最外侧的第1部分图案以及配置在上述第1部分图案的内侧的第2部分图案，上述虚拟图案配置在上述第1部分图案的外侧，

在形成上述第1导电图案之后，还包括：在上述第1部分图案与上述虚拟图案之间形成上述保护层。

12.根据权利要求10所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：

在形成上述晶种图案之后，还包括：移除保护层的过程。

13.根据权利要求10或权利要求11所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：

上述晶种图案裸露于上述基材的转角区域的至少一部分，

在形成上述第2导电图案时，通过裸露于上述转角区域的晶种图案加载电流以及电压中的至少一种而以电镀方式形成第2导电图案。

14.根据权利要求10或权利要求13所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：

在形成上述第2导电图案之后，还包括：形成与上述基材、晶种图案、第1导电图案、第2导电图案中的至少一个以上接触的保护层的过程。

15.根据权利要求10或权利要求13所述的线圈装置的制造方法，其特征在于：

在形成上述第2导电图案之后，还包括：对上述第1部分图案和上述保护层、上述晶种图案、上述基材进行切割。