[发明专利]成对的动态平行板电容耦合等离子体

权利要求书

1.一种处理腔室，包含：

至少两个等离子体站；

晶片基座，具有多个支撑表面，以支撑各个晶片以进行处理；

RF发生器，连接到第一等离子体处理站中的第一电极和第二等离子体处理站中的第二电极，以形成顶部RF路径；及

连接件，在所述晶片基座的至少两个支撑表面之间，以形成底部RF路径。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中在所述支撑表面之间的所述连接件位于所述晶片基座内。

3.如权利要求1所述的处理腔室，其中在所述支撑表面之间的所述连接件包含同轴连接件。

4.如权利要求3所述的处理腔室，进一步包含连接所述支撑表面的第二底部RF路径。

5.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述顶部RF路径经由同轴电缆而形成。

6.如权利要求3所述的处理腔室，进一步包含调谐元件，连接到所述支撑表面的每一个。

7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述调谐元件包含平衡-不平衡转换器。

8.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述调谐元件减小在所述支撑表面与形成所述处理腔室的周围金属结构之间的电压差。

9.如权利要求3所述的处理腔室，进一步包含介电间隔件，分隔所述支撑表面。

10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述介电间隔件包含石英、陶瓷或聚四氟乙烯的一或多种。

11.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包含调谐元件，连接到所述支撑表面的每一个。

12.如权利要求11所述的处理腔室，其中所述调谐元件包含平衡-不平衡转换器。

13.如权利要求11所述的处理腔室，其中所述底部RF路径在没有同轴电缆的情况下形成。

14.一种处理腔室，包含：

多个处理站，围绕所述处理腔室的内部布置，所述多个处理站包含至少两个等离子体站；

晶片基座，具有多个加热器，以支撑各个晶片以进行处理，加热器的数量等于处理站的数量；

RF发生器，连接到第一等离子体处理站中的第一电极和第二等离子体处理站中的第二电极，以形成顶部RF路径；及

连接件，在所述晶片基座的第一加热器和第二加热器之间，以形成底部RF路径。

15.如权利要求14所述的处理腔室，其中在所述第一加热器和第二加热器之间的所述连接件在所述晶片基座内。