[发明专利]成对的动态平行板电容耦合等离子体

说明书

描述了具有多个处理站和各个晶片支撑表面的处理腔室。处理站和晶片支撑表面布置成使得存在相等数量的处理站和加热器。RF发生器连接到第一站中的第一电极和第二站中的第二电极。底部RF路径经由第一支撑表面和第二支撑表面之间的连接件形成。

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体晶片处理的设备。更特定地，本公开内容的实施方式涉及具有平行板电容耦合等离子体的处理腔室以及产生等离子体的方法。

背景技术

原子层沉积(ALD)和等离子体增强ALD(PEALD)是对高深宽比结构中的膜厚度和保形性提供控制的沉积技术。由于半导体工业中装置尺寸的不断减小，使用ALD/PEALD的兴趣和应用越来越多。在一些情况下，只有PEALD可满足所期望的膜厚度和保形性的规格。

半导体装置形成通常在含有多个腔室的基板处理平台中进行。在一些情况下，多腔室处理平台或群集工具的目的是在受控环境中顺序地在基板上执行两个或更多个处理。然而，在其他情况下，多腔室处理平台可仅在基板上执行单个处理步骤；附加腔室意欲最大化由平台处理基板的速率。在后一种情况下，在基板上执行的处理通常是批量处理，其中相对大量的基板(例如，25个或50个)同时在给定的腔室中处理。批量处理对于以经济上可行的方式在各个基板上执行太耗时的处理尤其有益，所述太耗时的处理诸如原子层沉积(ALD)处理和一些化学气相沉积(CVD)处理。

电容耦合等离子体(CCP)是一种经过充分验证的用以产生均匀等离子体的方法，并且对于许多用于半导体制造的等离子体处理应用是理想的。当CCP的电极的一个电极(该电极处通常放置硅晶片)需要在紧接处理之前和之后或在处理期间进行物理移动时，传统的布置需要将用于接地路径的电气连接在原位断开，使得实施几乎不可能。

因此，在本领域中对在平行板电容耦合等离子体中提供均匀等离子体以用于批量处理的设备存在需求。

发明内容

本公开内容的一或多个实施方式涉及一种处理腔室，包含至少两个等离子体站和晶片基座，所述晶片基座具有多个支撑表面以支撑各个晶片以进行处理。RF发生器连接到第一等离子体处理站中的第一电极和第二等离子体处理站中的第二电极，以形成顶部RF路径。在晶片基座的至少两个支撑表面之间存在连接件以形成底部RF路径。

本公开内容的一或多个实施方式涉及处理腔室，包含：多个处理站，围绕处理腔室的内部布置，多个处理站包含至少两个等离子体站；晶片基座，具有多个加热器，以支撑各个晶片以进行处理，加热器的数量等于处理站的数量；RF发生器，连接到第一等离子体处理站中的第一电极和第二等离子体处理站中的第二电极，以形成顶部RF路径；及连接件，在晶片基座的第一加热器和第二加热器之间，以形成底部RF路径。

本公开内容的进一步的实施方式涉及处理多个基板的方法。连接到第一等离子体处理站中的第一电极和第二等离子体处理站中的第二电极以形成顶部RF路径的RF发生器被供电。第一等离子体处理站包含第一支撑表面，且第二等离子体处理站包含第二支撑表面。在晶片基座的第一支撑表面和第二支撑表面之间存在连接件，以形成底部RF路径。

附图说明

为了可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上面简要概述的本公开内容的更特定的描述，其中一些实施方式示于附图中。然而，应注意附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，且因此不应认为是对其范围的限制，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。

图1示出了根据本公开内容的一或多个实施方式的批量处理腔室的截面图；

图2示出了根据本公开内容的一或多个实施方式的批量处理腔室的局部透视图；

图3示出了根据本公开内容的一或多个实施方式的批量处理腔室的示意图；

图4示出了根据本公开内容的一或多个实施方式的在批量处理腔室中使用的楔形气体分配组件的一部分的示意图；