[发明专利]正形碳膜沉积

权利要求书

1.一种方法，包括通过在不存在等离子体的情况下并且在从100℃至小于600℃的范围中的温度下将基板暴露于碳前驱物而在所述基板上形成非晶碳膜，所述碳前驱物具有式(I)的结构：

其中R₁至R₁₀中的每一者独立地选自于H、卤素，或经取代或未经取代的C₁至C₄烷基。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述碳前驱物包含樟脑、L-葑酮、3-氯-2-降冰片酮、降冰片酮、1,3,7,7-四甲基-2-降冰片酮、降樟脑、(1R)-(-)-葑酮、(+)-葑酮、或(-)-葑酮中的一者或多者。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶碳膜具有从10到45原子％的范围中的氢含量。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述温度在从300℃至600℃的范围中。

5.如权利要求1所述的方法，其中将所述碳前驱物在安瓿中加热且用载气流动至基板。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述载气包含氢气(H₂)、氩气(Ar)、氦气(He)、氙气(Xe)，或氮气(N₂)中的一者或多者。

7.如权利要求1所述的方法，其中通过热分解工艺形成所述非晶碳膜。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶碳膜是正形的或可灰化中的一者或多者。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶碳膜是硬掩模层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述基板包含待图案化的层。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包含粘附层或介电层中的一者或多者。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括选自峰端、沟槽或通孔的至少一个特征。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述非晶碳膜是正形的。

14.一种蚀刻基板的方法，包含：

在所述基板上形成非晶碳硬掩模，所述非晶碳硬掩模是在不存在等离子体的情况下并且在从100℃至小于600℃的温度范围中沉积的，所述非晶碳硬掩模具有至少一个开口且通过将所述基板暴露于碳前驱物来形成，所述碳前驱物具有式(I)的结构：

其中R₁至R₁₀中的每一者独立地选自于H、卤素，或经取代或未经取代的C₁至C₄烷基；以及

通过所述至少一个开口蚀刻所述基板。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述碳前驱物包含樟脑、L-葑酮、3-氯-2-降冰片酮、降冰片酮、1,3,7,7-四甲基-2-降冰片酮、降樟脑、(1R)-(-)-葑酮、(+)-葑酮、或(-)-葑酮中的一者或多者。

16.如权利要求14所述的方法，进一步包括：在蚀刻之前形成光刻胶，所述光刻胶形成在所述基板与所述非晶碳硬掩模之间或形成在所述非晶碳硬掩模上。

17.如权利要求14所述的方法，进一步包括：在蚀刻所述基板之后移除所述非晶碳硬掩模。

18.如权利要求17所述的方法，其中通过灰化移除所述非晶碳硬掩模。

19.如权利要求14所述的方法，其中在1托至600托的范围的压力下形成所述非晶碳硬掩模。

20.一种方法，包括：

提供具有基板表面的基板；

将所述基板在从100℃至600℃的范围的温度并且在从1托至600托的范围的压力下暴露于碳前驱物，以在所述基板表面上形成碳硬掩模，所述碳硬掩模是在不存在等离子体的情况下沉积的，所述碳前驱物具有式(I)的结构：

其中R₁至R₁₀中的每一者独立地选自于H、卤素，或经取代或未经取代的C₁至C₄烷基；

通过所述碳硬掩模中的开口蚀刻所述基板的至少一部分；以及

通过灰化从所述基板表面移除所述碳硬掩模。