[发明专利]基于电子束感应电流的晶片检查在审
| 申请号： | 201980039451.7 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112313769A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 祃龙 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/28 | 分类号： | H01J37/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电子束 感应电流 晶片 检查 | ||
1.一种电子束系统，包括：
电子检测器，其包括用以检测从晶片发射的二次电子或背散射电子(SE/BSE)的电路；
电流检测器，其包括用以检测来自所述晶片的电子束感应电流(EBIC)的电路；以及
控制器，具有存储器以及一个或多个处理器，所述控制器包括用以进行以下操作的电路：
获取关于所述SE/BSE的数据；
获取关于所述EBIC的数据；以及
基于对所述SE/BSE数据和所述EBIC数据的评估来确定所述晶片的结构信息。
2.根据权利要求1所述的电子束系统，其中在确定所述结构信息时，所述控制器包括用以进行以下操作的电路：
使所述SE/BSE数据与所述EBIC数据同步。
3.根据权利要求1所述的电子束系统，其中在确定所述结构信息时，所述控制器包括用以进行以下操作的电路：
比较所述SE/BSE数据与所述EBIC数据；以及
基于所述比较来确定所述结构信息。
4.根据权利要求3所述的电子束系统，其中在比较所述SE/BSE数据与所述EBIC数据时，所述控制器包括用以进行以下操作的电路：
基于所述SE/BSE数据来构造所述晶片的SE/BSE图像；
基于所述EBIC数据来构造所述晶片的EBIC图像；以及
比较所述SE/BSE图像与所述EBIC图像。
5.根据权利要求1所述的电子束系统，其中所述结构信息包括以下各项中的至少一项：
所述晶片上的缺陷；
所述晶片上形成的特征的临界尺寸；以及
所述晶片上形成的特征的边缘。
6.根据权利要求1所述的电子束系统，其中所述电流检测器电路耦合到所述晶片，所述电流检测器电路被配置为接收来自所述晶片的电流，并且将EBIC数据提供给所述控制器。
7.根据权利要求6所述的电子束系统，其中耦合到所述晶片的所述电流检测器电路包括安培计，所述安培计被配置为测量所述EBIC的强度，并且输出所述强度作为所述EBIC数据。
8.根据权利要求6所述的电子束系统，耦合到所述晶片的所述电流检测器电路包括放大器，所述放大器被配置为放大所述EBIC数据。
9.根据权利要求1所述的电子束系统，其中所述电子检测器包括用以向所述控制器提供基于所述SE/BSE的强度的SE/BSE数据的电路。
10.根据权利要求1所述的电子束系统，其中所述EBIC是所述晶片的衬底电流。
11.根据权利要求1所述的电子束系统，还包括电子束工具，所述电子束工具包括用以利用一次电子束扫描所述晶片的电路。
12.一种方法，包括：
获取关于从利用电子束被扫描的晶片发射的二次电子或背散射电子(SE/BSE)的数据；
获取关于来自所述晶片的电子束感应电流(EBIC)的数据；以及
基于对所述SE/BSE数据和所述EBIC数据的评估来确定所述晶片的结构信息。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
使所述SE/BSE数据与所述EBIC数据同步。
14.根据权利要求12所述的方法，其中确定所述晶片的所述结构信息包括：
比较所述SE/BSE数据与所述EBIC数据；以及
基于所述比较来确定所述结构信息。
15.根据权利要求14所述的方法，其中比较所述SE/BSE数据与所述EBIC数据还包括：
基于所述SE/BSE数据来构造所述晶片的SE/BSE图像；
基于所述EBIC数据来构造所述晶片的EBIC图像；以及
比较所述SE/BSE图像与所述EBIC图像。
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