[发明专利]基于电子束感应电流的晶片检查

说明书

公开了一种晶片检查系统。根据某些实施例，该系统包括电子检测器，该电子检测器包括用以检测从晶片发射的二次电子或背散射电子(SE/BSE)的电路。电子束系统还包括电流检测器，该电流检测器包括用以检测来自晶片的电子束感应电流(EBIC)的电路。该电子束系统还包括控制器，该控制器具有一个或多个处理器和存储器，该控制器包括用以进行以下操作的电路：获取关于SE/BSE的数据；获取关于EBIC的数据；以及基于对SE/BSE数据和EBIC数据的评估来确定晶片的结构信息。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月12日提交并且全部内容通过引用并入本文的美国申请62/684,141的优先权。

技术领域

本公开一般涉及半导体晶片量测领域，更具体地，涉及一种用于通过将晶片的二次电子/背散射电子(SE/BSE)成像与晶片的电子束感应电流(EBIC)成像耦合来检查晶片的系统和方法。

背景技术

在制造集成电路(IC)的过程中，需要检查未完成的电路部件或已完成的电路部件，以确保它们根据设计被制造且没有缺陷。而且，在用于制作IC之前，还需要检查未图案化的晶片或裸露的晶片，以确保其没有缺陷或符合所需规格。如此，晶片检查过程已经集成到制造过程。具体地，晶片检查系统可以采用光学显微镜或带电粒子(例如，电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(SEM))来扫描晶片并且构造晶片表面的图像。然后，晶片检查系统可以检查图像以检测缺陷并且确定它们在晶片上的位置坐标。

与光子束相比，电子束的波长较短，从而可以提供更出众的空间分辨率。通常，SEM可以将一次电子束的电子聚焦在被检查晶片的预先确定的扫描位置处。一次电子束与晶片相互作用，并且可能被背散射或可能导致晶片发射二次电子。背散射电子或二次电子的强度可能会基于晶片的内部结构或外部结构的性质而变化，因此指示晶片的结构信息，诸如晶片上的缺陷、某些特征的尺寸等。

发明内容

本公开的实施例涉及一种用于通过将晶片的二次电子/背散射电子(SE/BSE)成像与晶片的电子束感应电流(EBIC)成像结合来检查晶片的系统。在一些实施例中，提供了一种电子束系统。该电子束系统包括电子检测器，该电子检测器包括用以检测从晶片发射的SE/BSE的电路。电子束系统还包括电流检测器，该电流检测器包括用于检测来自晶片的EBIC的电路。该电子束系统还包括控制器，该控制器具有一个或多个处理器和存储器，该控制器包括用以进行以下操作的电路：获取关于SE/BSE的数据；获取关于EBIC的数据；以及基于对SE/BSE数据和EBIC数据的评估来确定晶片的结构信息。

在一些实施例中，提供了一种计算机系统。该计算机系统包括存储指令的存储器。该计算机系统还包括处理器，该处理器电耦合到存储器。处理器包括用以执行指令以引起计算机系统执行以下操作的电路：获取关于从晶片发射的二次电子或背散射电子(SE/BSE)的数据；获取关于来自晶片的电子束感应电流(EBIC)的数据；评估SE/BSE数据和EBIC数据；并且基于对SE/BSE数据和EBIC数据的评估来确定晶片的结构信息。

在一些实施例中，提供了一种方法。该方法包括：获取关于从使用电子束被扫描的晶片发射的二次电子或背散射电子(SE/BSE)的数据；以及获取关于来自晶片的电子束感应电流(EBIC)的数据；并且基于对SE/BSE数据和EBIC数据的评估来确定晶片的结构信息。

在一些实施例中，提供了一种非暂态计算机可读介质。介质存储指令集合，该指令集合可由一个或多个设备的一个或多个处理器执行，以引起一个或多个设备执行一种方法，该方法包括：获取关于从晶片发射的二次电子或背散射电子(SE/BSE)的数据；获取关于来自晶片的电子束感应电流(EBIC)的数据；并且基于对SE/BSE数据和EBIC数据的评估来确定晶片的结构信息。